[发明专利]一种发光二极管结构有效
| 申请号： | 201811116261.4 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109378376B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 何安和;林素慧;彭康伟;黄禹杰;王锋;张家宏 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/44 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一突起结构，其宽度为D0，高度为H0，且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层，所述第一电极外表面具有一台阶，定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部，其宽度为D1，高度为H1，位于所述台阶之下的第一电极为下电极部，其宽度为D2，高度为H2，所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 发光二极管结构 绝缘保护层 第一电极 突起结构 下电极部 发光外延层 第二电极 外表面具 电极部 活性层 上表面 台面 侧壁 附着 两层 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一突起结构，其宽度为D0，高度为H0，且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层，所述第一电极外表面具有一台阶，定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部，其宽度为D1，高度为H1，位于所述台阶之下的第一电极为下电极部，其宽度为D2，高度为H2，所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面，但不附着于上电极部的上表面，所述上电极部、下电极部与突起结构的宽度大小关系为：D2>D1>D0。/n
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