[发明专利]一种发光二极管结构有效

申请号：	201811116261.4	申请日：	2018-09-25
公开（公告）号：	CN109378376B	公开（公告）日：	2020-02-11
发明（设计）人：	何安和;林素慧;彭康伟;黄禹杰;王锋;张家宏	申请（专利权）人：	厦门市三安光电科技有限公司
主分类号：	H01L33/20	分类号：	H01L33/20;H01L33/38;H01L33/44
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	361009 福建省厦***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	半导体层发光二极管结构绝缘保护层第一电极突起结构下电极部发光外延层第二电极外表面具电极部活性层上表面台面侧壁附着两层
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【权利要求书】：

1.一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一突起结构，其宽度为D0，高度为H0，且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层，所述第一电极外表面具有一台阶，定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部，其宽度为D1，高度为H1，位于所述台阶之下的第一电极为下电极部，其宽度为D2，高度为H2，所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面，但不附着于上电极部的上表面，所述上电极部、下电极部与突起结构的宽度大小关系为：D2>D1>D0。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述上电极部的宽度D2与突起结构的宽度D0符合关系式：D2≥1.25D0。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述下电极部的宽度D1与突起结构的宽度D0符合关系式：D1≥1.05D0。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述上电极部的宽度D2、下电极部的宽度D1与突起结构的宽度D0符合关系式：D2-D1≤0.2D0。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述上电极部的宽度D2与下电极部的宽度D1符合关系式：2μm≤ D2-D1≤10μm。

6.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述上电极部的宽度D2与突起结构的宽度D0符合关系式：10μm≤D2-D0≤40μm。

7.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述上电极部的高度H1与突起结构高度H0的大小关系为：H0=H1。

8.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述突起结构高度H0与所述发光外延层的厚度T符合关系式：1/3T≤H0≤T。

9.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述突起结构的高度H0≥1μm。

10.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述突起结构为部分保留的发光外延层。

11.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述突起结构为介质层或者金属层。

12.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述绝缘保护层材料选用SiO₂或Si₃N₄或Al₂O₃ 或TiO₂。

13.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述第一电极的表层金属包括Ti或TiN或Cr或Ni粘附金属层。