[发明专利]半导体器件、射频芯片和制造方法有效
| 申请号： | 201811112070.0 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109285815B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 于涛;陈高鹏;陈威;刘海玲 | 申请（专利权）人： | 宜确半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李浩;王莉莉 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体器件、射频芯片和制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括具有第一声波器件的第一衬底。在第一衬底上设置有间隔开的第一连接件和第二连接件。该第一连接件和该第二连接件分别与第一声波器件电连接。该半导体器件还包括具有第二声波器件的第二衬底。在第二衬底上设置有间隔开的第三连接件和第四连接件。该第三连接件与该第一连接件对接，该第四连接件与该第二连接件对接。该半导体器件还包括在第一衬底与第二衬底之间的环状件。该环状件、第一衬底和第二衬底形成有腔体。该腔体位于第一声波器件和第二声波器件之间。本公开可以减小器件的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 射频 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有第一声波器件的第一衬底，其中，在所述第一衬底上设置有间隔开的第一连接件和第二连接件，所述第一连接件和所述第二连接件分别与所述第一声波器件电连接；具有第二声波器件的第二衬底，其中，在所述第二衬底上设置有间隔开的第三连接件和第四连接件，所述第三连接件与所述第一连接件对接，所述第四连接件与所述第二连接件对接；以及在所述第一衬底与所述第二衬底之间的环状件，其中，所述环状件、所述第一衬底和所述第二衬底形成有腔体，所述腔体位于所述第一声波器件和所述第二声波器件之间。
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