[发明专利]半导体器件、射频芯片和制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有第一声波器件的第一衬底，其中，在所述第一衬底上设置有间隔开的第一连接件和第二连接件，所述第一连接件和所述第二连接件分别与所述第一声波器件电连接；

具有第二声波器件的第二衬底，其中，在所述第二衬底上设置有间隔开的第三连接件和第四连接件，所述第三连接件与所述第一连接件对接，所述第四连接件与所述第二连接件对接；

在所述第一衬底与所述第二衬底之间的环状件，其中，所述环状件、所述第一衬底和所述第二衬底形成有腔体，所述腔体位于所述第一声波器件和所述第二声波器件之间；

穿过所述第二衬底且与所述第三连接件和所述第一连接件电连接的第一导电通孔；以及

穿过所述第二衬底且与所述第四连接件和所述第二连接件电连接的第二导电通孔；

其中，所述环状件位于所述第一连接件与所述第三连接件之间以及位于所述第二连接件与所述第四连接件之间，其中，所述第一导电通孔和所述第二导电通孔分别穿过所述环状件；或者，

所述环状件在所述第一连接件和所述第二连接件之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述第二衬底的背离所述环状件的一侧的第一再布线层和第二再布线层，其中，所述第一再布线层与所述第一导电通孔连接，所述第二再布线层与所述第二导电通孔连接；以及

在所述第一再布线层上的第一金属凸起部和在所述第二再布线层上的第二金属凸起部。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一导电通孔与所述第三连接件的侧面连接，所述第二导电通孔与所述第四连接件的侧面连接。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一连接件的高度与所述第三连接件的高度之和与所述环状件的高度相等，所述第二连接件的高度与所述第四连接件的高度之和与所述环状件的高度相等；

其中，所述第一连接件与所述第三连接件直接对接，所述第二连接件与所述第四连接件直接对接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述环状件的材料包括绝缘材料；

所述第一连接件、所述第二连接件、所述第三连接件和所述第四连接件的材料分别包括金属材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第三连接件和所述第四连接件分别与所述第二声波器件电连接。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一声波器件包括带有信号发射功能的声波器件，所述第二声波器件包括带有信号接收功能的声波器件；或者，

所述第一声波器件包括带有信号接收功能的声波器件，所述第二声波器件包括带有信号发射功能的声波器件。

8.一种射频芯片，包括：如权利要求1至7任意一项所述的半导体器件。

9.根据权利要求8所述的射频芯片，还包括：

开关器件和射频功率放大器，其中，所述半导体器件分别与所述开关器件和所述射频功率放大器电连接。