[发明专利]半导体器件、射频芯片和制造方法

说明书

本公开提供了一种半导体器件、射频芯片和制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括具有第一声波器件的第一衬底。在第一衬底上设置有间隔开的第一连接件和第二连接件。该第一连接件和该第二连接件分别与第一声波器件电连接。该半导体器件还包括具有第二声波器件的第二衬底。在第二衬底上设置有间隔开的第三连接件和第四连接件。该第三连接件与该第一连接件对接，该第四连接件与该第二连接件对接。该半导体器件还包括在第一衬底与第二衬底之间的环状件。该环状件、第一衬底和第二衬底形成有腔体。该腔体位于第一声波器件和第二声波器件之间。本公开可以减小器件的面积。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件、射频芯片和制造方法。

背景技术

随着无线移动通信系统所支持的模式及频段的不断增加，当前无线通信移动终端的射频前端架构也变得越来越复杂。图1是示意性地示出相关技术中的无线通信移动终端的射频前端架构图。该图1示出了一个支持2G、3G、4G多模式以及各个模式中多个频段的无线通信移动终端的射频前端架构。如图1所示，该射频前端架构包括主天线101、天线匹配调谐芯片102、单刀多掷射频天线开关芯片103、双工器芯片104、3G/4G单频功率放大器芯片105、3G/4G多模多频功率放大器芯片106、2G功率放大器芯片107、射频收发信机芯片108、接收通路开关芯片109、滤波器芯片110、分集射频天线开关芯片111、分集天线112

该移动终端的射频收发信机芯片108负责将基带芯片产生的射频信号发送到对应的功率放大器芯片以及对接收到的射频信号进行处理。3G/4G单频功率放大器芯片105、3G/4G多模多频功率放大器芯片106和2G功率放大器芯片107都对从射频收发信机芯片108所发送来的射频信号进行功率放大。对于一系列双工器芯片104，每一个FDD(FrequencyDivision Duplexing，频分双工)模式的频段都需要一个对应的双工器芯片来进行发射和接收信号的分离。集成了低通滤波器的单刀多掷射频天线开关芯片103用于将多个射频功率放大器的输出信号以及多路从天线接收到的射频信号进行分路分离，以使得多个射频发射通路及多个射频接收通路可以共享同一个主天线101。单刀多掷射频天线开关芯片103中通常都集成两个低通滤波器，分别用于滤除2G高频段(1710-1910MHz)射频功率放大器的谐波及2G低频段(820-920MHz)射频功率放大器的谐波。天线匹配调谐芯片102连接在主天线101与多模多频射频天线开关芯片103之间。该天线匹配调谐芯片102用于对天线阻抗匹配进行实时调节以保证良好的天线阻抗匹配。分集射频天线开关芯片111用于对从分集天线112上接收到的射频信号进行分路分离。一系列滤波器芯片110用于对分集射频天线开关芯片111输出的各路射频信号进行滤波，其输出信号又通过接收通路开关芯片109发送到射频收发信机芯片108的相应接收端口。

由图1可以看出，随着多模多频射频前端模块需求的增长，双工器及滤波器将成为主要的器件。滤波器部分主要采用分立电感、电容器件来实现，或者采用IPD(IntegratedProduct Development，集成产品开发)工艺实现。双工器则主要采用声表面波(SurfaceAcoustic Wave，简称为SAW)器件、体声波(Bulk Acoustic Wave，简称为BAW)器件、薄膜体声波器件等声波器件实现。声表面波是声波在物体表面有限深度内进行传播，沿固体与空气界面传播。声表面波是一种能量集中在介质表面传播的弹性波。体声波及薄膜体声波利用的是体声波信号在不同介质传播时，在两电极与空气的交界地方发生反射，体声波及薄膜体声波与基底表面形成一个空气腔体，将声波限制在压电振荡腔内。由此可见，对于声表面波、体声波及薄膜体声波，都需要在与基底的交界面处，形成一个密闭的腔体，用于限制声波的传播路径。利用声波器件制作的滤波器及双工器具有插入损耗小，带外抑制好等优点，被广泛应用于无线通信领域。封装的方式主要分为:金属封装、塑料封装和表贴封装。它们最少有两部分组成，即封装的基底和上盖。在基底上涂上少量的黏合剂，然后把芯片贴在上面。经过固化处理，将芯片牢固的贴在基底上。