[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811110732.0 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109346473B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 胡斌;肖莉红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 范芳茗;高青 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。3D存储器件包括：叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；位于所述叠层结构的第一表面和第二表面上的多条导线；以及与所述叠层结构的所述第一表面和第二表面相邻的CMOS电路，其中，位于所述第一表面的所述多条导线至与所述第一表面相邻的CMOS电路，位于所述第二表面的所述多条导线连接至与所述第二表面相邻的CMOS电路。该3D存储器件采用分别与3D存储器件堆叠结构的第一表面和第二表面相邻的CMOS电路，可以降低布线密度，增加布线宽度、减小寄生电阻和寄生电容，提高存储密度和访问速度，从而提高3D存储器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件，其特征在于，包括：叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；位于所述叠层结构的第一表面和第二表面上的多条导线；以及与所述叠层结构的所述第一表面和第二表面相邻的CMOS电路，其中，位于所述第一表面的所述多条导线至与所述第一表面相邻的CMOS电路，位于所述第二表面的所述多条导线连接至与所述第二表面相邻的CMOS电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
