[发明专利]陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法有效
| 申请号： | 201811106951.1 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109545551B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 高岛贤二 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/12;H01G4/232;H01G4/008 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种陶瓷电子器件，其包括：陶瓷主体，该陶瓷主体具有至少两个彼此面对的端面，在其内部具有内部电极层并具有平行六面体形状；外部电极，形成在两个端面上，其中：外部电极具有至少一个镀层；在陶瓷主体的两个端面之外的四个侧面的至少一者中的未被外部电极覆盖的一部分区域，存在构成镀层的镀覆金属的氧化物膜；并且在氧化物膜最外表面的光电子谱中(镀覆金属的氧化物的峰面积)/(镀覆金属的峰面积)的比率为13.1以上。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷电子器件，包括：陶瓷主体，所述陶瓷主体具有至少两个彼此面对的端面，在其内部具有内部电极层并具有平行六面体形状；和外部电极，形成在所述两个端面上，其中：所述外部电极具有至少一个镀层；在所述陶瓷主体的所述两个端面之外的四个侧面的至少一者中的未被所述外部电极覆盖的一部分区域，存在构成所述镀层的镀覆金属的氧化物膜；并且在所述氧化物膜的最外表面的光电子谱中，(镀覆金属的氧化物的峰面积)/(镀覆金属的峰面积)的比率为13.1以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳诱电株式会社，未经太阳诱电株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811106951.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
