[发明专利]陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法

说明书

本申请提供一种陶瓷电子器件，其包括：陶瓷主体，该陶瓷主体具有至少两个彼此面对的端面，在其内部具有内部电极层并具有平行六面体形状；外部电极，形成在两个端面上，其中：外部电极具有至少一个镀层；在陶瓷主体的两个端面之外的四个侧面的至少一者中的未被外部电极覆盖的一部分区域，存在构成镀层的镀覆金属的氧化物膜；并且在氧化物膜最外表面的光电子谱中(镀覆金属的氧化物的峰面积)/(镀覆金属的峰面积)的比率为13.1以上。

技术领域

本发明某方面涉及陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法。

背景技术

诸如层叠陶瓷电容器的陶瓷电子器件广泛用作具有小尺寸、大电容和高可靠性的电子器件。在电气器件和电子器件中陶瓷电子器件的数量较大。近来，随着器件尺寸的减小和器件性能的提高，越来越需要陶瓷电子器件具有小尺寸、大电容和高可靠性。

在陶瓷电子器件中，通过镀覆工序形成外部电极，以便在安装期间改善基板端子和陶瓷电子器件之间的接合。然而，在镀覆过程中，镀覆金属可能结合到陶瓷体表面的未被外部电极覆盖的部分。随着陶瓷电子器件尺寸的减小，在小产品中相面对的外部电极之间的距离变得更短。即使当少量镀覆金属结合于小产品的陶瓷体的表面时，也形成漏电流路径。因此，可能显著降低绝缘电阻。因此，公开了一种用于防止镀覆金属的结合的技术(例如，参见日本专利申请公开第2004-311676号，日本专利申请公开第2007-242995号，日本专利申请公开第2009-177085号，日本专利申请公开第2008-251630号，日本专利申请公开第2008-244119号和日本专利申请公开第2005-251993号)。

发明内容

然而，日本专利申请公开第2004-311676号、日本专利申请公开第2007-242995号和日本专利申请公开第2009-177085号的技术需要时间和成本。例如，当在内部电极的端面或外部电极的表面上形成诸如玻璃的绝缘材料的保护层时，需要去除端面和表面的保护层。在小尺寸的产品中，需要非常困难的工作以选择性地去除涂层。日本专利申请公开第2008-251630号、日本专利申请公开第2008-244119号和日本专利申请公开第2005-251993号的技术不能完全防止镀覆金属的结合。在需要小型化和高可靠性的陶瓷电子器件中，少量结合的镀覆金属可能对绝缘性质具有很大影响。

本发明的目的是提供一种陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法，其能够通过简单的方法抑制镀覆金属的影响。

根据本发明的一个方面，提供了一种陶瓷电子器件，其包括：陶瓷主体，其具有至少两个彼此面对的端面，在其内部具有内部电极层并具有平行六面体形状；外部电极，形成在两个端面上，其中：外部电极具有至少一个镀层；在陶瓷主体的两个端面之外的四个侧面的至少一者中的未被外部电极覆盖的一部分区域，存在构成镀层的镀覆金属的氧化物膜；并且在氧化物膜的最外表面的光电子谱中，(镀覆金属的氧化物的峰面积)/(镀覆金属的峰面积)的比率为13.1以上。

根据本发明的另一方面，提供一种陶瓷电子器件的制造方法，其包括：制备陶瓷主体的工序，所述陶瓷主体具有至少两个彼此面对的端面，在其内部具有内部电极层，具有平行六面体形状，并且具有从两个端面朝向陶瓷主体的两个端面之外的四个侧面中的至少一者形成的基底层，基底层的主要成分是金属；在基底层上形成镀层的镀覆工序；以及在镀覆工序之后使镀覆金属的结合膜的表面氧化的工序，其中结合膜与基底层隔开。

附图说明

图1示出了层叠陶瓷电容器的局部透视图；

图2示出了沿图1的线A-A截取的外部电极的局部截面图；

图3示意性地示出了露出面的放大视图；

图4示出了光电子谱；

图5示出了层叠陶瓷电容器的制造方法；

图6示出了实施例1的结合膜的最外表面的光电子谱；