[发明专利]陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷电子器件，包括：

陶瓷主体，所述陶瓷主体具有至少两个彼此面对的端面，在其内部具有多个彼此面对的内部电极层并具有平行六面体形状；和

外部电极，形成在所述两个端面上，

其中：

所述外部电极具有至少一个镀层；

在所述陶瓷主体的所述两个端面之外的四个侧面的至少一者中的未被所述外部电极覆盖的一部分区域，存在构成所述镀层的镀覆金属的氧化物膜；

所述氧化物膜与所述外部电极间隔开，并且

在所述氧化物膜的最外表面的光电子谱中，(镀覆金属的氧化物的峰面积)/(镀覆金属的峰面积)的比率为13.1以上。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中所述比率从所述最外表面起沿所述氧化物膜的深度方向变化。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子器件，其中所述比率在从所述最外表面起1/4深度处为1以上。

4.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子器件，其中所述氧化物膜形成在所有四个侧面上。

5.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子器件，其中所述外部电极的距离为0.1mm以上且0.7mm以下。

6.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子器件，其中所述外部电极的距离为0.05mm以上且0.13mm以下。

7.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子器件，其中所述镀覆金属为Sn。

8.根据权利要求7所述的陶瓷电子器件，其中所述峰面积通过以下方式获得：使用由ULVAC PHI制造的XPS数据分析软件“MultiPak”，选择“曲线拟合”功能，选择“Shirley法”作为背景类型，指定481.8～491.4eV的结合能范围，通过数据分析软件的功能扣除背景，选择“Gauss-Lorentz”作为拟合函数，生成在用于指定镀覆金属的484.5eV处具有峰位置的临时曲线和在用于指定镀覆金属的氧化物的486eV处具有峰位置的临时曲线，通过执行计算进行曲线拟合，确定光电子谱的线，并按照软件的功能基于进行曲线拟合所得到的曲线计算每个峰面积。

9.一种陶瓷电子器件的制造方法，其包括：

制备陶瓷主体的工序，所述陶瓷主体具有至少两个彼此面对的端面，在其内部具有多个彼此面对的内部电极层，具有平行六面体形状并具有基底层，所述基底层从两个端面朝向所述陶瓷主体的所述两个端面之外的四个侧面中的至少一者而形成，所述基底层的主要成分为金属；

在所述基底层上形成镀层的镀覆工序，在形成所述镀层的过程中，在所述陶瓷主体的所述两个端面之外的四个侧面中的至少一者的没有被形成的镀层覆盖的部分，结合有结合膜；

在所述镀覆工序之后使镀覆金属的结合膜的表面氧化的工序，其中所述结合膜与所述镀层隔开。

10.根据权利要求9所述的方法，其还包括：

通过蚀刻或研磨除去在氧化之后形成在所述基底层上形成的所述镀层上的氧化物。