[发明专利]一种功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811104308.5 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109166832B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 翠展微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件，其包括芯片，所述芯片包括有源区和位于所述有源区两侧的隔离区，位于所述隔离区自所述芯片的上表面延伸至所述芯片内的第一金属层，位于所述隔离区自所述芯片的下表面延伸至所述芯片内的第二金属层，自所述芯片的侧面延伸至所述芯片内的位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的介质层，所述介质层包括形成在所述介质层内的第三金属层，形成在所述隔离区的外表面连接所述第一金属层、第二金属层和第三金属层的第四金属层。另，本发明还涉及一种高可靠性封装功率器件的制备方法。本发明中的功率器件可以在不增加芯片面积的前提下，进一步提高其散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括：芯片，所述芯片包括有源区和位于所述有源区两侧的隔离区；位于所述隔离区自所述芯片的上表面延伸至所述芯片内的第一金属层；位于所述隔离区自所述芯片的下表面延伸至所述芯片内的第二金属层；自所述芯片的侧面延伸至所述芯片内的位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的介质层；所述介质层包括形成在所述介质层内的第三金属层；形成在所述隔离区的外表面连接所述第一金属层、第二金属层和第三金属层的第四金属层。
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