[发明专利]一种功率器件及其制备方法

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括：

芯片，所述芯片包括有源区和位于所述有源区两侧的隔离区；

位于所述隔离区自所述芯片的上表面延伸至所述芯片内的第一金属层；

位于所述隔离区自所述芯片的下表面延伸至所述芯片内的第二金属层；

自所述芯片的侧面延伸至所述芯片内的位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的介质层；

所述介质层包括形成在所述介质层内的第三金属层；

形成在所述隔离区的外表面连接所述第一金属层、第二金属层和第三金属层的第四金属层。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一金属层包括第一子金属层和第二子金属层，所述第二子金属层的宽度较所述第一子金属层大，所述第二金属层包括第三子金属层和第四子金属层，第四子金属层的宽度较第三子金属层大。

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述介质层包括位于所述第三金属层的上表面及下表面的氧化硅层或氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件包括对称地设置在所述芯片的上下两面与所述第四金属层相连的散热组件，所述散热组件包括第一粘附层、第二粘附层、基板、散热片，所述第四金属层与所述基板通过所述第一粘附层固定连接，所述基板通过所述第二粘附层与所述散热片固定连接。

5.根据权利要求4所述的功率器件，其特征在于，所述第一粘附层和所述第二粘附层的材质为环氧树脂胶，所述基板为覆铜陶瓷基板。

6.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供一芯片，所述芯片包括有源区和位于所述有源区两侧的隔离区；

步骤S2：在所述隔离区对应的芯片的上表面和下表面开设第一沟槽和第二沟槽，在所述隔离区对应的芯片的侧面延伸至所述芯片的内部形成介质层，所述介质层位于所述第一沟槽和第二沟槽之间；

步骤S3：在所述介质层内开设第三沟槽；

步骤S4：在所述第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽内填充金属形成第一金属层、第二金属层和第三金属层；

步骤S5：在所述隔离区对应的芯片的上下表面和侧面形成第四金属层，所述第四金属层连接所述第一金属层、第二金属层和第三金属层。

7.根据权利要求6所述的一种功率器件的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述第一沟槽包括第一子沟槽和第二子沟槽，所述第一子沟槽和所述第二子沟槽连通，所述第二子沟槽的宽度大于所述第一子沟槽，所述第二沟槽包括第三子沟槽和第四子沟槽，所述第三子沟槽和所述第四子沟槽连通，所述第四子沟槽的宽度大于所述第三子沟槽。

8.根据权利要求7所述的一种功率器件的制备方法，其特征在于，所述第一子沟槽和所述第三子沟槽通过干法刻蚀形成，所述第二子沟槽和所述第四子沟槽通过湿法刻蚀形成。

9.根据权利要求6所述的一种功率器件的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述介质层的介质材料为氧化硅或氮化硅。

10.根据权利要求6所述的一种功率器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S5还包括在所述芯片的上下表面对应的第四金属层上对称地设置散热组件，所述散热组件包括第一粘附层、第二粘附层、基板、散热片，所述第四金属层与所述基板通过所述第一粘附层固定连接，所述基板通过所述第二粘附层与所述散热片固定连接。