[发明专利]控制半导体制造设施的系统和方法、制造集成电路的方法有效
申请号: | 201811100549.2 | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN109524328B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 郑在原;Y·金;闵昌基;李振雨;许硕;崔溶元;崔允钟 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请提供了一种用于控制半导体制造设施的方法和制造集成电路的方法。所述用于控制半导体制造设施的方法包括:当通过多个风扇改变压强条件时,测量设施中的压差传感器的输出改变量。随后将风扇分为不同的组和子组,并且基于改变量确定子组的控制顺序。接着计算差值,并且产生控制信号以调整风扇的转速。 | ||
搜索关键词: | 控制 半导体 制造 设施 系统 方法 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种用于控制半导体制造设施的方法,所述方法包括步骤:当通过所述半导体制造设施中的多个风扇将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时,通过分组逻辑来测量所述半导体制造设施中的第一压差传感器、第二压差传感器和第三压差传感器各自的第一输出改变量、第二输出改变量和第三输出改变量,并且基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量将所述多个风扇中的一些风扇分为第一组并将所述多个风扇中的其余风扇分为第二组;通过顺序确定器将所述第一组风扇中的一些风扇分为第一子组,并且将所述第一组风扇中的其余风扇分为第二子组,并且基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量确定所述第一子组和所述第二子组的控制顺序;通过指数产生器计算第一差值、第二差值和第三差值,所述第一差值基于第一平均值与目标值之间的差,所述第一平均值是所述第一压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第一输出的平均值,并且所述目标值是所述半导体制造设施的目标输出值,所述第二差值基于第二平均值与所述目标值之间的差,所述第二平均值是所述第二压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第二输出的平均值,并且所述第三差值基于第三平均值与所述目标值之间的差,所述第三平均值是所述第三压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第三输出的平均值;产生对应于所述第一差值与所述第二差值之间的差的第一性能调节指数和对应于所述第二差值与所述第三差值之间的差的第二性能调节指数;以及通过控制器接收对应于所述控制顺序的信息以及所述第一性能调节指数和所述第二性能调节指数的信息,并且产生控制信号以调整所述多个风扇中的每一个的转速,其中:所述第一压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第一点之间的压强差,所述第二压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第二点之间的压强差,所述第三压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第三点之间的压强差,所述第一输出改变量对应于所述第一压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第一压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量,所述第二输出改变量对应于所述第二压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第二压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量,并且所述第三输出改变量对应于所述第三压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第三压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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