[发明专利]控制半导体制造设施的系统和方法、制造集成电路的方法有效

专利信息
申请号: 201811100549.2 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN109524328B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 郑在原;Y·金;闵昌基;李振雨;许硕;崔溶元;崔允钟 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 控制 半导体 制造 设施 系统 方法 集成电路
【说明书】:

本申请提供了一种用于控制半导体制造设施的方法和制造集成电路的方法。所述用于控制半导体制造设施的方法包括:当通过多个风扇改变压强条件时,测量设施中的压差传感器的输出改变量。随后将风扇分为不同的组和子组,并且基于改变量确定子组的控制顺序。接着计算差值,并且产生控制信号以调整风扇的转速。

相关申请的交叉引用

于2017年9月20日提交的标题为“控制半导体制造设施的系统和方法、利用所述系统和方法制造集成电路的方法以及利用所述系统和方法制造处理器的方法”的韩国专利申请No.10-2017-0121221以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本文所述的一个或多个实施例涉及半导体技术。

背景技术

半导体制造设施内的压强和气流可影响性能和成品率。例如,在这样的设施中的压强和气流可允许会污染各种处理的外部颗粒被引入。另外,或可替换地,压强和气流可允许设施内的颗粒排放到设施外。管理半导体制造设施内的气流的一种尝试涉及保持设施内的压强高于设施外的压强。此外,可通过将设备之间的压强差保持恒定来调整设施内的气流。

发明内容

根据一个或多个实施例,一种用于控制半导体制造设施的方法包括:当通过半导体制造设施中的多个风扇将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时,通过分组逻辑测量半导体制造设施中的第一压差传感器、第二压差传感器和第三压差传感器各自的第一输出改变量、第二输出改变量和第三输出改变量,并且基于第一输出改变量至第三输出改变量将一些风扇分为第一组并将其余风扇分为第二组;通过顺序确定器将第一组风扇中的一些风扇分为第一子组,并且将第一组风扇中的其余风扇分为第二子组,并且基于第一输出改变量至第三输出改变量确定第一子组和第二子组的控制顺序。

所述方法还包括:通过指数产生器计算第一差值、第二差值和第三差值,第一差值基于第一平均值与目标值之间的差,所述第一平均值是第一压差传感器在半导体制造设施的工作压强下的第一输出的平均值,并且所述目标值是半导体制造设施的目标输出值,第二差值基于第二平均值与所述目标值之间的差,所述第二平均值是第二压差传感器在半导体制造设施的工作压强下的第二输出的平均值,并且第三差值基于第三平均值与所述目标值之间的差,所述第三平均值是第三压差传感器在半导体制造设施的工作压强下的第三输出的平均值。

所述方法还包括:产生对应于第一差值与第二差值之间的差的第一性能调节指数(RPI)和对应于第二差值与第三差值之间的差的第二RPI;以及通过控制器接收对应于第一组和第二组的信息、对应于控制顺序的信息以及第一RPI和第二RPI,并且产生用于调整风扇中的每一个的转速的控制信号。

第一压差传感器用于测量半导体制造设施的外部与半导体制造设施中的第一点之间的压强差,第二压差传感器用于测量半导体制造设施的外部与半导体制造设施中的第二点之间的压强差,第三压差传感器用于测量半导体制造设施的外部与半导体制造设施中的第三点之间的压强差。

第一输出改变量对应于第一压差传感器在第一压强条件下的测量值与第一压差传感器在第二压强条件下的测量值之间的改变量,第二输出改变量对应于第二压差传感器在第一压强条件下的测量值与第二压差传感器在第二压强条件下的测量值之间的改变量,并且第三输出改变量对应于第三压差传感器在第一压强条件下的测量值与第三压差传感器在第二压强条件下的测量值之间的改变量。下面公开了其它实施例。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例,特征将对于本领域技术人员应该变得清楚,其中:

图1示出了用于控制半导体制造设施的系统的实施例;

图2示出了指数产生器的实施例;

图3示出了用于操作所述系统的实施例;

图4至图6示出了用于分别操作初始分组单元、分组单元和顺序确定器的实施例;

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