[发明专利]控制半导体制造设施的系统和方法、制造集成电路的方法

权利要求书

1.一种用于控制半导体制造设施的方法，所述方法包括步骤：

当通过所述半导体制造设施中的多个风扇将压强条件从第一压强条件改变为第二压强条件时，通过分组逻辑来测量所述半导体制造设施中的第一压差传感器、第二压差传感器和第三压差传感器各自的第一输出改变量、第二输出改变量和第三输出改变量，并且基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量将所述多个风扇中的一些风扇分为第一组并将所述多个风扇中的其余风扇分为第二组；

通过顺序确定器将所述第一组风扇中的一些风扇分为第一子组，并且将所述第一组风扇中的其余风扇分为第二子组，并且基于所述第一输出改变量至所述第三输出改变量确定所述第一子组和所述第二子组的控制顺序；

通过指数产生器计算第一差值、第二差值和第三差值，

所述第一差值基于第一平均值与目标值之间的差，所述第一平均值是所述第一压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第一输出的平均值，并且所述目标值是所述半导体制造设施的目标输出值，

所述第二差值基于第二平均值与所述目标值之间的差，所述第二平均值是所述第二压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第二输出的平均值，并且

所述第三差值基于第三平均值与所述目标值之间的差，所述第三平均值是所述第三压差传感器在所述半导体制造设施的工作压强下的第三输出的平均值；

产生对应于所述第一差值与所述第二差值之间的差的第一性能调节指数和对应于所述第二差值与所述第三差值之间的差的第二性能调节指数；以及

通过控制器接收对应于所述控制顺序的信息以及所述第一性能调节指数和所述第二性能调节指数的信息，并且产生控制信号以调整所述多个风扇中的每一个的转速，其中：

所述第一压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第一点之间的压强差，

所述第二压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第二点之间的压强差，

所述第三压差传感器用于测量所述半导体制造设施的外部与所述半导体制造设施中的第三点之间的压强差，

所述第一输出改变量对应于所述第一压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第一压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量，

所述第二输出改变量对应于所述第二压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第二压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量，并且

所述第三输出改变量对应于所述第三压差传感器在所述第一压强条件下的测量值与所述第三压差传感器在所述第二压强条件下的测量值之间的改变量。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过所述顺序确定器将所述第一组风扇中的一些风扇分为所述第一子组的步骤包括：

当基于对所述第一组风扇中的第一风扇的转速的调整而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量全部等于或大于参考改变量，则将所述第一风扇包括在所述第一子组中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

通过所述分组逻辑将所述多个风扇中的一些风扇分为所述第一组的步骤包括：

当基于对所述多个风扇中的第一风扇的转速的调整而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量中的任一个大于或等于参考改变量，则将所述第一风扇包括在所述第一组中，并且

通过所述分组逻辑将所述多个风扇中的其余风扇分为所述第二组的步骤包括：

当通过调整所述多个风扇中的第二风扇的转速而将压强条件从所述第一压强条件改变为所述第二压强条件时，如果所述第一输出改变量至所述第三输出改变量均不大于或等于所述参考改变量，则将所述第二风扇包括在所述第二组中。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：

通过所述指数产生器比较所述第一输出和所述第二输出；

当所述第一输出大于所述第二输出时，通过所述指数产生器产生默认值作为第一回流指数；以及

当所述第一输出小于所述第二输出时，通过所述指数产生器产生对应于所述第一平均值与所述第二平均值之间的差值的第二回流指数，在所述第一输出小于所述第二输出的时间段中产生所述第二回流指数。