[发明专利]形成图像传感器的方法及图像传感器在审
| 申请号： | 201811058940.0 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109273400A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 魏代龙;许兵 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中的浅沟槽中形成覆盖所述浅沟槽的壁的第一电介质材料层；在所述浅沟槽中形成覆盖所述第一电介质材料层的掺杂层，所述掺杂层具有P型掺杂剂，并且所述掺杂层中的P型掺杂剂的浓度高于所述浅沟槽周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述掺杂层不填满所述浅沟槽；以及使得所述掺杂层中的所述P型掺杂剂透过所述第一电介质材料层向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中的所述浅沟槽的周围形成覆盖所述浅沟槽的壁的P型扩散区。本公开还涉及一种图像传感器。本公开能够改进图像传感器的暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 浅沟槽 图像传感器 掺杂层 衬底 电介质材料层 半导体 覆盖 暗电流 填满 扩散 改进 | ||
【主权项】：
1.一种形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底中的浅沟槽中形成覆盖所述浅沟槽的壁的第一电介质材料层；在所述浅沟槽中形成覆盖所述第一电介质材料层的掺杂层，所述掺杂层具有P型掺杂剂，并且所述掺杂层中的P型掺杂剂的浓度高于所述浅沟槽周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述掺杂层不填满所述浅沟槽；以及使得所述掺杂层中的所述P型掺杂剂透过所述第一电介质材料层向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中的所述浅沟槽的周围形成覆盖所述浅沟槽的壁的P型扩散区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
