[发明专利]形成图像传感器的方法及图像传感器在审
| 申请号： | 201811058940.0 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109273400A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 魏代龙;许兵 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浅沟槽 图像传感器 掺杂层 衬底 电介质材料层 半导体 覆盖 暗电流 填满 扩散 改进 | ||
1.一种形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底中的浅沟槽中形成覆盖所述浅沟槽的壁的第一电介质材料层；
在所述浅沟槽中形成覆盖所述第一电介质材料层的掺杂层，所述掺杂层具有P型掺杂剂，并且所述掺杂层中的P型掺杂剂的浓度高于所述浅沟槽周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述掺杂层不填满所述浅沟槽；以及
使得所述掺杂层中的所述P型掺杂剂透过所述第一电介质材料层向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中的所述浅沟槽的周围形成覆盖所述浅沟槽的壁的P型扩散区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂层由具有P型掺杂剂的多晶半导体材料形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型掺杂剂为硼。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过原子层沉积处理或炉管处理来形成所述掺杂层。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一电介质材料层由半导体材料的氧化物形成。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，通过热氧化处理来形成所述第一电介质材料层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过进行热处理来促使所述P型掺杂剂扩散。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述浅沟槽中形成覆盖所述掺杂层的第二电介质材料层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，通过高密度等离子体化学气相沉积处理来形成所述第二电介质材料层。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：
通过刻蚀处理将所述掺杂层的上部去除；以及
在所述浅沟槽中形成位于所述掺杂层之上并覆盖所述掺杂层顶部的第三电介质材料层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
