[发明专利]形成图像传感器的方法及图像传感器

说明书

本公开涉及一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中的浅沟槽中形成覆盖所述浅沟槽的壁的第一电介质材料层；在所述浅沟槽中形成覆盖所述第一电介质材料层的掺杂层，所述掺杂层具有P型掺杂剂，并且所述掺杂层中的P型掺杂剂的浓度高于所述浅沟槽周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述掺杂层不填满所述浅沟槽；以及使得所述掺杂层中的所述P型掺杂剂透过所述第一电介质材料层向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中的所述浅沟槽的周围形成覆盖所述浅沟槽的壁的P型扩散区。本公开还涉及一种图像传感器。本公开能够改进图像传感器的暗电流。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种形成图像传感器的方法及图像传感器。

背景技术

CMOS图像传感器的光电二极管、晶体管等器件的周围通常会形成浅沟槽隔离(STI)结构。

因此，存在对新技术的需求。

发明内容

本公开的目的之一是提供一种新的图像传感器及形成图像传感器的方法。

根据本公开的第一方面，提供了一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中的浅沟槽中形成覆盖所述浅沟槽的壁的第一电介质材料层；在所述浅沟槽中形成覆盖所述第一电介质材料层的掺杂层，所述掺杂层具有P型掺杂剂，并且所述掺杂层中的P型掺杂剂的浓度高于所述浅沟槽周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述掺杂层不填满所述浅沟槽；以及使得所述掺杂层中的所述P型掺杂剂透过所述第一电介质材料层向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中的所述浅沟槽的周围形成覆盖所述浅沟槽的壁的P型扩散区。

根据本公开的第二方面，提供了一种图像传感器，包括：浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构形成在半导体衬底中；以及扩散区，所述扩散区位于所述半导体衬底中的所述浅沟槽隔离结构的周围并覆盖所述浅沟槽隔离结构的壁，其中，所述扩散区具有P型掺杂剂，并且所述扩散区中的P型掺杂剂的浓度高于位于所述扩散区周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1至5是分别示意性地示出了在根据本公开一个或多个示例性实施例来形成图像传感器的方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图6和7是分别示意性地示出了在根据本公开一个或多个示例性实施例来形成图像传感器的方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图8是示意性地示出根据本公开的一个或多个示例性实施例的图像传感器的结构的示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在一些情况中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，本公开并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

下面将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。