[发明专利]一种阵列基板的制程方法和显示面板在审
| 申请号： | 201811054891.3 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109524357A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 黄北洲 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板的制程方法和显示面板，该制程方法包括：在玻璃基板上形成栅极金属层和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层，在薄膜晶体管的沟道位置形成蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上形成一金属层，在金属层上沉积一层光阻，对光罩使用一次光罩制程并曝光显影形成预设形状的光阻层；然后蚀刻得到源极和漏极；对源极和漏极上保留的光阻层进行后烘烤，使得光阻层流动至沟壑位置；蚀刻半导体层并得到预设图案；剥离源极、漏极和沟道位置上方的光阻层；在源极、漏极和沟道位置上方形成钝化层和导电薄膜层。本发明可以减少光罩制程，有效降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制程 光阻层 漏极 源极 沟道位置 蚀刻 蚀刻阻挡层 栅极绝缘层 半导体层 显示面板 阵列基板 金属层 薄膜晶体管 导电薄膜层 栅极金属层 玻璃基板 曝光显影 预设图案 预设形状 钝化层 一次光 烘烤 沉积 光罩 光阻 沟壑 剥离 保留 流动 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制程方法，其特征在于，包括：在玻璃基板上形成栅极金属层和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层，在薄膜晶体管的沟道位置形成蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上形成一金属层，在金属层上沉积一层光阻，对光罩使用一次光罩制程并曝光显影形成预设形状的光阻层；然后蚀刻得到源极和漏极；对源极和漏极上保留的光阻层进行后烘烤，使得光阻层流动至沟壑位置；蚀刻半导体层并得到预设图案；剥离源极、漏极和沟道位置上方的光阻层；在源极、漏极和沟道位置上方形成钝化层和ITO层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司，未经惠科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811054891.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
