[发明专利]一种阵列基板的制程方法和显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制程方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上形成栅极金属层和栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成半导体层，在薄膜晶体管的沟道位置形成蚀刻阻挡层；

在蚀刻阻挡层上形成一金属层，在金属层上沉积一层光阻，对光罩使用一次光罩制程并曝光显影形成预设形状的光阻层；然后蚀刻得到源极和漏极；

对源极和漏极上保留的光阻层进行后烘烤，使得光阻层流动至沟壑位置；

蚀刻半导体层并得到预设图案；

剥离源极、漏极和沟道位置上方的光阻层；

在源极、漏极和沟道位置上方形成钝化层和ITO层。

2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述蚀刻阻挡层宽度大于所述源极和漏极之间的沟壑的宽度。

3.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述源极和漏极靠近所述沟壑的一部分形成在所述蚀刻阻挡层上。

4.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述半导体层包括氧化半导体层。

5.如权利要求4所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述氧化半导体层包括铟镓锌氧化物半导体层。

6.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述对源极和漏极上保留的光阻层进行后烘烤，使得光阻层流动至沟壑位置的步骤包括：

以80至200度的烘烤温度，对所述源极和漏极上保留的光阻层烘烤50至180秒钟。

7.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述在蚀刻阻挡层上形成一金属层，在金属层上沉积一层光阻，对光罩使用一次光罩制程并曝光显影形成预设形状的光阻层的步骤中，

形成厚度1～2.5μm，且宽度在1～10μm之间的光阻层。

8.如权利要求6所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述以80至200度的烘烤温度，对所述源极和漏极上保留的光阻层烘烤50至180秒钟的步骤之后还包括：

在后烘烤步骤完成之后，检测或者抽样检测烘烤情况，若是烘烤情况符合预设要求，则后烘烤步骤合格。

9.一种阵列基板的制程方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上形成栅极金属层和栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成铟镓锌氧化物半导体层，在薄膜晶体管的沟道位置形成蚀刻阻挡层；

在蚀刻阻挡层上形成一金属层，在金属层上沉积一层光阻，对光罩使用一次光罩制程并曝光显影形成预设形状的光阻层；

蚀刻得到部分形成在蚀刻阻挡层上方的源极和漏极；

以80至200度的烘烤温度，对源极和漏极上保留的光阻层烘烤50至180秒钟，使得光阻层流动至沟壑位置；

蚀刻铟镓锌氧化物半导体层并得到预设图案；

剥离源极、漏极和沟道位置上方的光阻层；

在源极、漏极和沟道位置上方形成钝化层和ITO层。

10.一种显示面板，包括如权利要求1-9任一一项所述的阵列基板的制程方法制造得到的阵列基板、所述阵列基板相对设置的对侧基板，以及夹在所述阵列基板和对侧基板之间的液晶层。