[发明专利]一种阵列基板的制程方法和显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制程方法和显示面板，该制程方法包括：在玻璃基板上形成栅极金属层和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层，在薄膜晶体管的沟道位置形成蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上形成一金属层，在金属层上沉积一层光阻，对光罩使用一次光罩制程并曝光显影形成预设形状的光阻层；然后蚀刻得到源极和漏极；对源极和漏极上保留的光阻层进行后烘烤，使得光阻层流动至沟壑位置；蚀刻半导体层并得到预设图案；剥离源极、漏极和沟道位置上方的光阻层；在源极、漏极和沟道位置上方形成钝化层和导电薄膜层。本发明可以减少光罩制程，有效降低生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制程方法和显示面板。

背景技术

随着科技的发展和进步，液晶显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等热点而成为显示器的主流产品，得到了广泛应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管液晶显示器包含液晶面板和背光模组，液晶面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也称彩色滤光片基板)、薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFTSubstrate)和光罩(Mask)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(LiquidCrystal，LC)。

其中的Array制程中，etching stop layer(ESL)结构由于在金属线刻蚀的时候能保护TFT背沟道，因此能表现出相对容易的制程，因而得到了应用。但是ESL结构的TFT制程需要6道光罩，相对于5道光罩制程，造成时间和成本的上升。

发明内容

有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种可以减少光罩制程，有效降低生产成本的一种阵列基板的制程方法和显示面板。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板的制程方法，包括：

在玻璃基板上形成栅极金属层和栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成铟镓锌氧化物半导体层，在薄膜晶体管的沟道位置形成蚀刻阻挡层；

在蚀刻阻挡层上形成一金属层，在金属层上沉积一层光阻，对光罩使用一次光罩制程并曝光显影形成预设形状的光阻层；

蚀刻得到部分形成在蚀刻阻挡层上方的源极和漏极；

以80至200度的烘烤温度，对源极和漏极上保留的光阻层烘烤50至180秒钟，使得光阻层流动至沟壑位置；

蚀刻铟镓锌氧化物半导体层并得到预设图案；

剥离源极、漏极和沟道位置上方的光阻层；

在源极、漏极和沟道位置上方形成钝化层和ITO层。

本发明还提供了一种阵列基板的制程方法，包括：

在玻璃基板上形成栅极金属层和栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成半导体层，在薄膜晶体管的沟道位置形成蚀刻阻挡层；

在蚀刻阻挡层上形成一金属层，在金属层上沉积一层光阻，对光罩使用一次光罩制程并曝光显影形成预设形状的光阻层；然后蚀刻得到源极和漏极；

对源极和漏极上保留的光阻层进行后烘烤，使得光阻层流动至沟壑位置；