[发明专利]一种低温熔融盐介质制备纳米硅的方法在审
| 申请号： | 201811053832.4 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109081350A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;余佳阁;梁初;张文魁;夏阳;甘永平;张俊 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C01B33/023 | 分类号： | C01B33/023;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人： | 冯年群 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用低温熔融盐介质制备纳米硅的方法,所述纳米硅的制备是以二氧化硅为硅源，在真空或惰性气氛保护下、将二氧化硅、金属氢化物和无水氯化铝按质量比为1:1～5:5～20的比例混合研磨均匀，置于反应器内，以1～20℃/min的升温速率升至100～700℃，反应1～60h；反应结束后，冷却至室温，将反应产物经稀酸浸泡、去离子水洗涤，然后抽滤、真空烘干即得纳米硅粉体材料。本发明方法的特点是利用金属氢化物为还原剂、无水氯化铝熔融盐为反应介质，可以在较低的温度下制备纳米硅，显著降低了能耗和成本，易于实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米硅 低温熔融盐 金属氢化物 无水氯化铝 二氧化硅 介质制备 制备 惰性气氛保护 去离子水洗涤 纳米硅粉 稀酸浸泡 真空烘干 反应器 研磨 还原剂 熔融盐 体材料 质量比 抽滤 硅源 冷却 能耗 | ||
【主权项】：
1.一种利用低温熔融盐介质制备纳米硅的方法，其特征在于，所述制备纳米硅的方法包括以下步骤：S1、在真空或保护性气氛下，将含二氧化硅的原料、金属氢化物和无水氯化铝研磨均匀，并将研磨物转移至密闭抽真空的反应器内；S2、将反应器以1～20℃/min的升温速率加热至100～700℃，并保温1～60h；S3、待反应结束后，冷却至室温，取出反应器内的反应产物，依次经稀酸浸泡、去离子水洗涤，然后抽滤、真空烘干得到纳米硅材料。
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