[发明专利]一种低温熔融盐介质制备纳米硅的方法在审
| 申请号： | 201811053832.4 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109081350A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;余佳阁;梁初;张文魁;夏阳;甘永平;张俊 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C01B33/023 | 分类号： | C01B33/023;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人： | 冯年群 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米硅 低温熔融盐 金属氢化物 无水氯化铝 二氧化硅 介质制备 制备 惰性气氛保护 去离子水洗涤 纳米硅粉 稀酸浸泡 真空烘干 反应器 研磨 还原剂 熔融盐 体材料 质量比 抽滤 硅源 冷却 能耗 | ||
1.一种利用低温熔融盐介质制备纳米硅的方法，其特征在于，所述制备纳米硅的方法包括以下步骤：
S1、在真空或保护性气氛下，将含二氧化硅的原料、金属氢化物和无水氯化铝研磨均匀，并将研磨物转移至密闭抽真空的反应器内；
S2、将反应器以1～20℃/min的升温速率加热至100～700℃，并保温1～60h；
S3、待反应结束后，冷却至室温，取出反应器内的反应产物，依次经稀酸浸泡、去离子水洗涤，然后抽滤、真空烘干得到纳米硅材料。
2.根据权利要求1所述的一种利用低温熔融盐介质制备纳米硅的方法，其特征在于，所述步骤S1中的含二氧化硅的原料、金属氢化物和无水氯化铝的质量比为1:1～5:5～20。
3.根据权利要求1所述的一种利用低温熔融盐介质制备纳米硅的方法，其特征在于，所述步骤S1中的金属氢化物为氢化锂、氢化钠、氢化钾、氢化镁和氢化钙中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种利用低温熔融盐介质制备纳米硅的方法，其特征在于，所述步骤S1中的含二氧化硅的原料为二氧化硅、粉煤灰、石英、硅藻土、硅石和砂子中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的一种利用低温熔融盐介质制备纳米硅的方法，其特征在于，所述步骤S2中的升温速率为1～5℃/min。
6.根据权利要求5所述的一种利用低温熔融盐介质制备纳米硅的方法，其特征在于，所述步骤S2中的升温速率为1℃/min。
7.根据权利要求1所述的一种利用低温熔融盐介质制备纳米硅的方法，其特征在于，所述步骤S2中的加热温度为100～500℃，保温时间为5～50h。
8.根据权利要求7所述的一种利用低温熔融盐介质制备纳米硅的方法，其特征在于，所述步骤S2中的加热温度为200℃，保温时间为10h。
9.根据权利要求1所述的一种利用低温熔融盐介质制备纳米硅的方法，其特征在于，所述步骤S3中的稀酸为稀盐酸、稀硫酸或稀氢氟酸。
10.根据权利要求9所述的一种利用低温熔融盐介质制备纳米硅的方法，其特征在于，所述步骤S3中的稀酸的摩尔浓度为0.1M。
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