[发明专利]一种单斜相氧化钇的制备方法在审
| 申请号： | 201811048416.5 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN108774063A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 钟声亮;李欣炜;夏先明;刘冉 | 申请（专利权）人： | 江西师范大学 |
| 主分类号： | C04B35/505 | 分类号： | C04B35/505;C04B35/622;C09K11/78 |
| 代理公司： | 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 | 代理人： | 张建新 |
| 地址： | 330000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单斜相氧化钇的制备方法，该方法包括如下步骤：(1)制备钇基配位聚合物；(2)将钇基配位聚合物煅烧，得到立方相氧化钇；(3)在2～20MPa条件下对立方相氧化钇进行预压；(4)使预压后的立方相氧化钇在500～1500℃、1～5GPa条件下进行高温高压反应，得到单斜相氧化钇。本发明的方法具有过程简单、反应条件较低、产物纯度高、产量高等一系列优点。本发明为单斜相氧化钇合成提供了一种快速高效的新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钇 单斜 立方相 制备 配位聚合物 预压 钇基 高温高压反应 产物纯度 反应条件 煅烧 合成 | ||
【主权项】：
1.一种单斜相氧化钇的制备方法，包括如下步骤：(1)制备钇基配位聚合物；(2)将钇基配位聚合物煅烧，得到立方相氧化钇；(3)在2～20MPa条件下对立方相氧化钇进行预压；(4)使预压后的立方相氧化钇在500～1500℃、1～5GPa条件下进行高温高压反应，得到单斜相氧化钇。
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