[发明专利]磁存储装置在审
| 申请号： | 201811038072.X | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110289033A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 上田善宽 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够进行稳定的读取动作的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：磁性存储细线(MML)，该磁性存储细线是线性磁性体，且具有磁化方向可变的第1磁区及第2磁区；磁阻效应元件(11)，具有与第1磁区的磁化方向对应的第1电阻、或与第2磁区的磁化方向对应的第2电阻的任一者；以及读取电路(40)，将磁阻效应元件(11)具有的第1电阻、与磁阻效应元件(11)具有的第2电阻加以比较。读取电路(40)在第1电阻与第2电阻不变时，输出第1数据，在第1电阻与第2电阻不同时，输出第2数据。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 磁区 磁阻效应元件 磁存储装置 磁化方向 磁性存储 读取电路 细线 读取动作 线性磁性 输出 可变的 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储装置，具备：磁性线，该磁性线是线性磁性体，且具有磁化方向可变的第1磁区及第2磁区；磁阻元件，具有与所述第1磁区的磁化方向对应的第1电阻、或与所述第2磁区的磁化方向对应的第2电阻的任一者；以及读取电路，将所述磁阻元件具有的所述第1电阻、与所述磁阻元件具有的所述第2电阻加以比较；且所述读取电路在所述第1电阻与所述第2电阻不变相同时，输出第1数据，在所述第1电阻与所述第2电阻不同时，输出第2数据。
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