[发明专利]磁存储装置

说明书

实施方式提供一种能够进行稳定的读取动作的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：磁性存储细线(MML)，该磁性存储细线是线性磁性体，且具有磁化方向可变的第1磁区及第2磁区；磁阻效应元件(11)，具有与第1磁区的磁化方向对应的第1电阻、或与第2磁区的磁化方向对应的第2电阻的任一者；以及读取电路(40)，将磁阻效应元件(11)具有的第1电阻、与磁阻效应元件(11)具有的第2电阻加以比较。读取电路(40)在第1电阻与第2电阻不变时，输出第1数据，在第1电阻与第2电阻不同时，输出第2数据。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请2018-51178号(申请日：2018年3月19日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参考该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种磁存储装置。

背景技术

作为磁存储装置，已知使用具有多个磁区的磁性细线的磁存储装置。

发明内容

实施方式提供一种能够进行稳定的读取动作的磁存储装置。

实施方式的磁存储装置具备：磁性线，该磁性线是线性磁性体，且具有磁化方向可变的第1磁区及第2磁区；磁阻元件，具有与所述第1磁区的磁化方向对应的第1电阻、或与所述第2磁区的磁化方向对应的第2电阻的任一者；以及读取电路，将所述磁阻元件具有的所述第1电阻、与所述磁阻元件具有的所述第2电阻加以比较；且所述读取电路在所述第1电阻与所述第2电阻不变时，输出第1数据，在所述第1电阻与所述第2电阻不同时，输出第2数据。

也可为：所述读取电路在所述第1电阻与所述第2电阻的差为第1值以下时，输出所述第1数据，在所述第1电阻与所述第2电阻的差大于第1值时，输出所述第2数据。

也可为：所述磁阻元件具有由第1磁性层、第2磁性层、以及所述第1磁性层与所述第2磁性层间的非磁性层所形成的MTJ(magnetic tunnel junction，磁性隧道结)构造，且所述第2磁性层通过来自所述磁性线的所述第1磁区的磁感应而具有与所述第1磁区相同的磁化方向。

也可为：所述磁阻元件在所述第2磁性层的磁化方向与所述第1磁性层的磁化方向平行时，具有低电阻状态，在所述第2磁性层的磁化方向与所述第1磁性层的磁化方向反平行时，具有比低电阻状态高的高电阻状态。

也可为：所述磁阻元件具有第1磁性层与非磁性层，所述磁阻元件具有由所述磁性线的所述第1磁区、所述第1磁性层、以及所述第1磁区与所述第1磁性层间的所述非磁性层所形成的MTJ(magnetic tunnel junction)构造。

也可为：所述磁阻元件在所述第1磁区的磁化方向与所述第1磁性层的磁化方向平行时，具有低电阻状态，在所述第1磁区的磁化方向与所述第1磁性层的磁化方向反平行时，具有比低电阻状态高的高电阻状态。

也可为：所述读取电路具备移位驱动器，使所述磁性线具有的所述第1磁区及第2磁区移位，所述磁性线的所述第1磁区配置在所述磁性线内的第1位置，在所述读取电路读出与所述第1磁区的磁化方向对应的所述第1电阻之后，所述移位驱动器使所述第2磁区移位至所述第1位置。

也可为：所述读取电路具有：第1电路，读出所述磁阻元件的所述第1电阻及所述第2电阻；以及读出放大器，将由所述第1电路读出的所述第1电阻与所述第2电阻加以比较；且所述第1电路包含：第2电路，对所述磁阻元件供给或停止供给读取电流；电容器，蓄积与所述第1电阻或所述第2电阻的任一者对应的信号；以及第3电路，设定将所述信号蓄积到所述电容器的时序。