[发明专利]磁存储装置

权利要求书

1.一种磁存储装置，具备：

磁性线，该磁性线是线性磁性体，且具有磁化方向可变的第1磁区及第2磁区；

磁阻元件，具有与所述第1磁区的磁化方向对应的第1电阻、或与所述第2磁区的磁化方向对应的第2电阻的任一者；以及

读取电路，将所述磁阻元件具有的所述第1电阻、与所述磁阻元件具有的所述第2电阻加以比较；且

所述读取电路在所述第1电阻与所述第2电阻不变相同时，输出第1数据，在所述第1电阻与所述第2电阻不同时，输出第2数据。

2.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述读取电路在所述第1电阻与所述第2电阻的差为第1值以下时，输出所述第1数据，在所述第1电阻与所述第2电阻的差大于第1值时，输出所述第2数据。

3.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述磁阻元件具有由第1磁性层、第2磁性层、以及所述第1磁性层与所述第2磁性层间的非磁性层所形成的MTJ(magnetic tunnel junction，磁性隧道结)构造，且

所述第2磁性层通过来自所述磁性线的所述第1磁区的磁感应而具有与所述第1磁区相同的磁化方向。

4.根据权利要求3所述的磁存储装置，其中

所述磁阻元件在所述第2磁性层的磁化方向与所述第1磁性层的磁化方向平行时，具有低电阻状态，

在所述第2磁性层的磁化方向与所述第1磁性层的磁化方向反平行时，具有比低电阻状态高的高电阻状态。

5.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述磁阻元件具有第1磁性层与非磁性层，

所述磁阻元件具有由所述磁性线的所述第1磁区、所述第1磁性层、以及所述第1磁区与所述第1磁性层间的所述非磁性层所形成的MTJ(magnetic tunnel junction)构造。

6.根据权利要求5所述的磁存储装置，其中

所述磁阻元件在所述第1磁区的磁化方向与所述第1磁性层的磁化方向平行时，具有低电阻状态，

在所述第1磁区的磁化方向与所述第1磁性层的磁化方向反平行时，具有比低电阻状态高的高电阻状态。

7.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述读取电路具备移位驱动器，使所述磁性线具有的所述第1磁区及第2磁区移位，

所述磁性线的所述第1磁区配置在所述磁性线内的第1位置，

在所述读取电路读出与所述第1磁区的磁化方向对应的所述第1电阻之后，所述移位驱动器使所述第2磁区移位至所述第1位置。

8.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述读取电路具有：第1电路，读出所述磁阻元件的所述第1电阻及所述第2电阻；以及读出放大器，将由所述第1电路读出的所述第1电阻与所述第2电阻加以比较；且

所述第1电路包含：第2电路，对所述磁阻元件供给或停止供给读取电流；电容器，蓄积与所述第1电阻或所述第2电阻的任一者对应的信号；以及第3电路，设定将所述信号蓄积到所述电容器的时序。

9.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述读取电路具有：第1电路，读出所述磁阻元件的所述第1电阻及所述第2电阻；以及读出放大器，将由所述第1电路读出的所述第1电阻与所述第2电阻加以比较；且

所述第1电路包含：第2电路，对所述磁阻元件供给或停止供给读取电流；第1电容器，蓄积与所述第1电阻对应的信号；第2电容器，蓄积与所述第2电阻对应的信号；第3电路，设定将与所述第1电阻对应的信号蓄积到所述第1电容器的时序；以及第4电路，设定将与所述第2电阻对应的信号蓄积到所述第2电容器的时序。

10.根据权利要求2所述的磁存储装置，其中

所述读取电路具有：第1电路，读出所述磁阻元件的所述第1电阻及所述第2电阻；以及读出放大器，将由所述第1电路读出的所述第1电阻与所述第2电阻加以比较；且

所述读出放大器具有设定所述第1值的第1电路。