[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的课题在于提供：在对衬底交替供给第一处理气体和第二处理气体的等离子体的循环处理的情况下，能够良好地实施对该衬底的处理的技术。本发明的解决手段为提供下述技术，该技术具有下述工序：第一工序，向收容有衬底的状态的处理空间供给第一处理气体、并且作为第一处理气体的载气而使用非活性气体；和第二工序，向收容有衬底的状态的处理空间供给第二处理气体的等离子体、并且作为第二处理气体的载气而使用活性辅助气体。

主权项

1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：第一工序，其中，向收容有衬底的状态的处理空间供给第一处理气体、并且作为所述第一处理气体的载气而使用非活性气体；和第二工序，其中，向收容有所述衬底的状态的所述处理空间供给第二处理气体的等离子体、并且作为所述第二处理气体的载气而使用活性辅助气体。