[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

第一工序，其中，向收容有衬底的状态的处理空间供给第一处理气体、并且作为所述第一处理气体的载气而使用非活性气体；和

第二工序，其中，向收容有所述衬底的状态的所述处理空间供给第二处理气体的等离子体、并且作为所述第二处理气体的载气而使用活性辅助气体。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述第二工序中，使所述处理空间内与其他工序相比成为低压，从而实施所述第二处理气体的供给。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述第二工序中，在开始向所述处理空间供给等离子体状态的所述活性辅助气体后，开始向所述处理空间供给所述第二处理气体。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，实施将所述第一工序与所述第二工序重复进行的循环处理。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述第一处理气体为原料气体，

所述第二处理气体为反应气体或改性气体。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述非活性气体为N₂气体，

所述活性辅助气体为Ar气体。

7.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述第一处理气体为原料气体，

所述第二处理气体为反应气体或改性气体。

8.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述非活性气体为N₂气体，

所述活性辅助气体为Ar气体。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在所述第二工序中，在开始向所述处理空间供给等离子体状态的所述活性辅助气体后，开始向所述处理空间供给所述第二处理气体。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，实施将所述第一工序与所述第二工序重复进行的循环处理。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述第一处理气体为原料气体，

所述第二处理气体为反应气体或改性气体。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述非活性气体为N₂气体，

所述活性辅助气体为Ar气体。

13.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述第一处理气体为原料气体，

所述第二处理气体为反应气体或改性气体。

14.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述非活性气体为N₂气体，

所述活性辅助气体为Ar气体。

15.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

实施将所述第一工序与所述第二工序重复进行的循环处理。

16.根据权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述第一处理气体为原料气体，

所述第二处理气体为反应气体或改性气体。

17.根据权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述非活性气体为N₂气体，

所述活性辅助气体为Ar气体。