[发明专利]一种晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201811023245.0 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109148304A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 徐名正;徐勤莲 | 申请（专利权）人： | 盛世瑶兰（深圳）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区桂*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种新型半导体晶体管及其制造方法，所述晶体管通过减薄较厚的场氧化层，将降场层注入到晶体管次表面，然后再形成一个较薄的埋层，在降场层上方增加了一个导通电阻相对较低的导电沟道，使得上下两条导电沟道均可参与导电，从而减小了晶体管的导通电阻，提升了晶体管的电流驱动能力，提高了LDMOS的工作性能，降低了工艺的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 导电沟道 导通电阻 场层 半导体技术领域 电流驱动能力 新型半导体 场氧化层 工作性能 制造成本 次表面 导电 减薄 减小 埋层 制作 制造 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面形成第二导电类型的阱区；在所述阱区上表面形成氧化层；在所述阱区上表面形成薄膜层；在有源区形成场氧化层；在所述衬底上表面形成第一导电类型的体区；在所述场氧化层通过湿法刻蚀形成薄场氧化层；在所述阱区内形成第一导电类型的降场层；在所述薄场氧化层下表面形成第二导电类型的埋层；在所述阱区上表面形成栅氧化层；在所述栅氧化层上表面形成多晶硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛世瑶兰（深圳）科技有限公司，未经盛世瑶兰（深圳）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811023245.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管的制备方法
- 下一篇：一种功率器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
