[发明专利]一种晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底上表面形成第二导电类型的阱区；

在所述阱区上表面形成氧化层；

在所述阱区上表面形成薄膜层；

在有源区形成场氧化层；

在所述衬底上表面形成第一导电类型的体区；

在所述场氧化层通过湿法刻蚀形成薄场氧化层；

在所述阱区内形成第一导电类型的降场层；

在所述薄场氧化层下表面形成第二导电类型的埋层；

在所述阱区上表面形成栅氧化层；

在所述栅氧化层上表面形成多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底表面形成第二导电类型的阱区具体包括，通过离子注入在所述衬底上表面形成第二导电类型的阱区。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述阱区上表面形成薄膜层具体包括，所述薄膜层通过刻蚀露出有源区的氧化层，并对所述有源区的氧化层通过局部氧化隔离工艺形成所述场氧化层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述场氧化层通过湿法刻蚀形成薄场氧化层具体包括，对所述场氧化层进行湿法刻蚀形成所述薄场氧化层，用于减小场氧化层对后续离子注入深度的影响。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述薄场氧化层下表面形成第二导电类型的埋层具体包括，通过离子注入工艺在所述场氧化层下表面注入第二导电类型的离子以形成所述埋层，用于减小漂移区的导通电阻。

6.一种晶体管，其特征在于，包括:

第一导电类型的衬底；

第二导电类型的阱区，形成于所述衬底上表面；

氧化层，形成于所述阱区上表面；

薄膜层，形成于所述阱区上表面；

场氧化层，形成于有源区；

第一导电类型的体区，形成于所述衬底上表面；

薄场氧化层，形成于所述场氧化层；

降场层，形成于所述阱区；

第二导电类型的埋层，形成于所述薄场氧化层下表面；

栅氧化层，形成于所述阱区上表面；

多晶硅层，形成于所述栅氧化层上表面。

7.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述场氧化层厚度大于所述氧化层厚度。

8.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述埋层通过控制注入离子的能量，形成于所述薄场氧化层的下表面，用于减小漂移区的导通电阻。

9.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述多晶硅层形成于所述栅氧化层上表面，位于所述体区和阱区之间。

10.根据权利要求6所述的晶体管件，其特征在于，所述多晶硅层靠近有源区一侧不能位于所述降场层上方的所述薄场氧化层区域。