[发明专利]一种光学波导器件的形成方法在审
| 申请号： | 201811023015.4 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109143465A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 熊文娟;李俊峰;蒋浩杰;李志华;余金中;王文武;亨利·H·阿达姆松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光学波导器的形成方法，在衬底上形成二氧化硅下包层，在所述下包层上生长Si3N4芯层；生长所述芯层的方法采用多次沉积工艺，每一所述沉积工艺包括：从第一温度上升至第二温度；在所述第二温度下进行Si3N4的沉积，从所述第二温度下降至第三温度；所述第三温度作为下一沉积工艺的第一温度；下一沉积工艺重复上一沉积工艺，经过多次沉积工艺后Si3N4厚度达到预期设定厚度的芯层，并进行芯层的图案化；形成包裹所述芯层的二氧化硅上包层。该方法利用多次升降温沉积Si3N4芯层，可以在每一次沉积过程中释放掉Si3N4芯层中的应力，避免由于芯层厚度增加应力变大产生裂痕，从而可以生成质量较好、需要厚度的Si3N4芯层，提高光学波导器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 芯层 沉积 光学波导器 二氧化硅上包层 二氧化硅下包层 光学波导器件 厚度增加 生长 图案化 下包层 裂痕 衬底 升降 释放 重复 | ||
【主权项】：
1.一种光学波导器的形成方法，其特征在于，包括：在衬底上形成二氧化硅下包层；在所述下包层上生长Si3N4芯层，所述生长Si3N4芯层的方法包括多次沉积工艺，每一所述沉积工艺包括：从第一温度上升至第二温度；在所述第二温度下进行Si3N4的沉积；从所述第二温度下降至第三温度；所述第三温度为下一沉积工艺的第一温度；图案化所述芯层；形成包裹所述芯层的二氧化硅上包层。
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