[发明专利]一种光学波导器件的形成方法在审
| 申请号： | 201811023015.4 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109143465A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 熊文娟;李俊峰;蒋浩杰;李志华;余金中;王文武;亨利·H·阿达姆松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯层 沉积 光学波导器 二氧化硅上包层 二氧化硅下包层 光学波导器件 厚度增加 生长 图案化 下包层 裂痕 衬底 升降 释放 重复 | ||
1.一种光学波导器的形成方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成二氧化硅下包层；
在所述下包层上生长Si3N4芯层，所述生长Si3N4芯层的方法包括多次沉积工艺，每一所述沉积工艺包括：从第一温度上升至第二温度；在所述第二温度下进行Si3N4的沉积；从所述第二温度下降至第三温度；所述第三温度为下一沉积工艺的第一温度；
图案化所述芯层；
形成包裹所述芯层的二氧化硅上包层。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺为低压力化学气相沉积法。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述芯层的厚度范围为400-800nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述下包层上生长Si3N4芯层之后，图案化所述芯层之前，还包括：
进行所述Si3N4芯层的平坦化，平坦化后的所述芯层的表面光滑度为原子级光滑度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在图案化所述芯层之后，形成包裹所述芯层的二氧化硅上包层之前，或者生长Si3N4芯层之后，还包括：
进行热退火工艺。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，在衬底上形成二氧化硅上包层，包括：采用多次热氧化工艺，在衬底上形成二氧化硅上包层，每一所述热氧化工艺包括：工艺温度从第四温度上升至第五温度，并在所述第五温度保持预设时间。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，每一所述热氧化工艺还包括：从所述第五温度下降至第六温度。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述下包层的厚度为2-4um。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成包裹所述芯层的二氧化硅上包层，包括：
采用低压力化学气相沉积法形成包裹所述芯层的高温热氧化物的上包层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述上包层的厚度为2-4um。
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