[发明专利]一种磁场传感器和制作工艺方法在审
| 申请号： | 201811020543.4 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN108975261A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锋;宋灿;温殿忠;张洪泉 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81B7/02;B81C1/00;G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 | 代理人： | 刘冬梅;路永斌 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，在所述第一硅片(1)上设置有一个呈立体结构的硅磁敏三极管，在所述第一硅片(1)和第二硅片(2)上分别设置一个聚/导磁微结构(4)，其中，所述聚/导磁微结构(4)使得非磁敏感方向的磁场聚集和传导至硅磁敏三极管的磁敏感方向，以进行测量。本发明所述的磁场传感器，结构简单，体积小，集成化程度高，其制作工艺操作方便，易于实现，适合大规模工业应用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 磁场传感器 制作工艺 磁敏三极管 微结构 导磁 磁场聚集 工业应用 立体结构 磁敏感 集成化 体积小 传感器 非磁 传导 测量 敏感 | ||
【主权项】：
1.一种磁场传感器，其特征在于，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，在所述第一硅片(1)上设置有一个呈立体结构的硅磁敏三极管，在所述第一硅片(1)和第二硅片(2)上分别设置一个聚/导磁微结构(4)，其中，所述聚/导磁微结构(4)使得非磁敏感方向的磁场聚集和传导至硅磁敏三极管的磁敏感方向，以进行测量。
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