[发明专利]一种磁场传感器和制作工艺方法

权利要求书

1.一种磁场传感器，其特征在于，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，在所述第一硅片(1)上设置有一个呈立体结构的硅磁敏三极管，在所述第一硅片(1)和第二硅片(2)上分别设置一个聚/导磁微结构(4)，其中，所述聚/导磁微结构(4)使得非磁敏感方向的磁场聚集和传导至硅磁敏三极管的磁敏感方向，以进行测量。

2.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，在所述第一硅片(1)的上表面、下表面以及第二硅片(2)的下表面均设置有二氧化硅层(3)，

优选地，所述二氧化硅层(3)的厚度为300～600nm。

3.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，在所述第一硅片(1)的上表面制作有集电区(6)和基区，和/或

在所述第一硅片(1)的下表面相对于集电区的位置制作有发射区(7)，

优选地，所述集电区为n⁺型掺杂，基区为p⁺型掺杂，和/或所述发射区为n⁺型掺杂。

4.根据权利要求3所述的磁场传感器，其特征在于，在所述第一硅片(1)的上表面、集电区(6)远离基区的一侧制作有集电极负载电阻(R_L)，在第一硅片(1)的上表面、基区的一侧制作有基极负载电阻(R_b)，其中，

所述集电极负载电阻(R_L)和基极负载电阻(R_b)均为n^-型掺杂。

5.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，在所述第一硅片(1)的上表面制作有正向聚/导磁微结构放置槽，用于正向放置聚/导磁微结构，

在所述第二硅片(2)的下表面制作有反向聚/导磁微结构放置槽，用于反向放置聚/导磁微结构。

6.根据权利要求5所述的磁场传感器，其特征在于，所述聚/导磁微结构(4)包括矩形台(41)和类梯形体(42)，其中，

所述矩形台(41)的横截面平行于第一硅片(1)和第二硅片(2)的上下表面。

7.根据权利要求6所述的磁场传感器，其特征在于，所述类梯形体(42)的长底边对应的底面为聚磁平面，与聚磁平面相交的四个平面均为曲面，两两相对设置，包括第一曲面、第二曲面、第三曲面和第四曲面，其中，

所述第一曲面和第三曲面均与聚磁平面的长边相交，所述第二曲面和第四曲面均与聚磁平面的短边相交，

优选地，所述第一曲面和第三曲面的曲率半径为5mm-10mm，和/或

所述第二曲面和第四曲面的曲率半径为5mm-8mm。

8.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述聚/导磁微结构(4)包括芯体和包裹膜，其中，所述芯体由高磁导率材料制成，以聚集和传导磁场，和/或

所述包裹膜为非磁性材料，以防止聚集的磁场流失；

优选地，所述高磁导率材料的相对磁导率为100-180。