[发明专利]一种高纯度替比培南酯晶体的制备方法在审
| 申请号： | 201811019995.0 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109096283A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 王波;郭培良;杜振军;黄浩喜;李英富;苏忠海 | 申请（专利权）人： | 成都倍特药业有限公司 |
| 主分类号： | C07D477/20 | 分类号： | C07D477/20;C07D477/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杜朗宇;苟铭 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯度替比培南酯晶体的制备方法，其包括以下步骤：向替比培南酯粗品中加入第一溶剂，搅拌，得到初溶品；在反应温度下，向初溶品中滴加第二溶剂，其后搅拌析晶；所述第一溶剂包括水，所述第二溶剂为乙腈，所述反应温度为0～60℃。本发明可制备得到高纯度、低残留溶剂量的替比培南酯晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 培南酯 高纯度 制备 第二溶剂 第一溶剂 晶体的 低残留 溶剂量 粗品 滴加 析晶 乙腈 | ||
【主权项】：
1.一种高纯度替比培南酯晶体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)向替比培南酯粗品中加入第一溶剂，搅拌，得到初溶品；(2)在反应温度下，向所述初溶品中滴加第二溶剂，其后搅拌析晶，将晶体过滤，干燥即可；所述第一溶剂包括水，所述第二溶剂为乙腈，所述反应温度为0～60℃；该替比培南酯的结构式如式(Ⅰ)所示：![]()
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