[发明专利]一种高纯度替比培南酯晶体的制备方法在审
| 申请号： | 201811019995.0 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109096283A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 王波;郭培良;杜振军;黄浩喜;李英富;苏忠海 | 申请（专利权）人： | 成都倍特药业有限公司 |
| 主分类号： | C07D477/20 | 分类号： | C07D477/20;C07D477/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杜朗宇;苟铭 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 培南酯 高纯度 制备 第二溶剂 第一溶剂 晶体的 低残留 溶剂量 粗品 滴加 析晶 乙腈 | ||
1.一种高纯度替比培南酯晶体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)向替比培南酯粗品中加入第一溶剂，搅拌，得到初溶品；
(2)在反应温度下，向所述初溶品中滴加第二溶剂，其后搅拌析晶，将晶体过滤，干燥即可；
所述第一溶剂包括水，所述第二溶剂为乙腈，所述反应温度为0～60℃；该替比培南酯的结构式如式(Ⅰ)所示：
2.根据权利要求1所述的高纯度替比培南酯晶体的制备方法，其特征在于：所述替比培南酯粗品与所述第一溶剂的体积比为1:1～1:10，优选为1:5～1:8；所述第二溶剂与所述第一溶剂的体积比为0.5:1～5:1，优选为2:1～3:1。
3.根据权利要求1所述的高纯度替比培南酯晶体的制备方法，其特征在于：所述反应温度为40～60℃，优选为50℃。
4.根据要求1所述的高纯度替比培南酯晶体的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的搅拌速率为200～400rpm，优选为300～350rpm。
5.根据权利要求4所述高纯度替比培南酯晶体的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中所述析晶时间为0.5～5h，优选为2～3h。
6.根据权利要求1所述的高纯度替比培南酯晶体的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中所述的干燥的温度为50～60℃。
7.根据权利要求1所述的高纯度替比培南酯晶体的制备方法，其特征在于：所述替比培南酯粗品包括以下制备步骤：
S1：加入原料替比培南四水化合物、二甲基甲酰胺(DMF)、N,N-二异丙基乙胺(DIPEA)、苄基三乙基氯化铵，室温下反应；
S2：向反应的混合液中加入特戊酸氯甲酯，其后升温至45℃反应；
S3：待S2反应完成后，将混合液冷却、加水搅拌，其后加入有机溶剂进行一或多次萃取，将萃取得到的有机相用酸调节pH至4.0±0.1后分液，将分液得到的水相使用有机溶剂萃取，将萃取后剩余的水相用碱调节pH至7.5±0.1，其后再次使用有机溶剂萃取，将萃取得到的有机相洗涤一或多次，其后将有机相干燥，过滤，浓缩，即得到替比培南酯粗品。
8.根据权利要求7所述的高纯度替比培南酯晶体的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中所述有机溶剂为乙酸乙酯。
9.根据权利要求7所述的高纯度替比培南酯晶体的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中所述反应的时间为50～70min。
10.根据权利要求7所述的高纯度替比培南酯晶体的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中所述反应的时间为4.5～5.5h。
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