[发明专利]发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列在审
| 申请号： | 201811013684.3 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109192821A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;马非凡;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列，属于半导体技术领域。方法包括：提供一间隔设置多个第一发光单元的衬底；在每个第一发光单元上形成第一绑定层；提供一转移基板，转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和第二绑定层；将第二绑定层与第一绑定层绑定在一起；去除衬底；在每个第一发光单元上设置反射电极；将转移基板平行设置在电路控制板的上方；将激光从转移基板垂直射向各个第一发光单元，牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将第一发光单元与转移基板分离，第一发光单元落在电路控制板用于设置第一发光单元的区域上。本发明解决了激光无法将红黄光LED芯片从衬底转移到电路控制板的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光单元 转移基板 绑定层 电路控制板 激光 发光二极管芯片 发光二极管阵列 牺牲层 衬底 半导体技术领域 黄光LED芯片 衬底转移 反射电极 间隔设置 能量分解 平行设置 透明基板 依次层叠 绑定 去除 垂直 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：提供一间隔设置多个第一发光单元的衬底，每个所述第一发光单元包括依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；在每个所述第一发光单元上形成第一绑定层；提供一转移基板，所述转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和第二绑定层；将所述第二绑定层与所述第一绑定层绑定在一起；去除所述衬底；在每个所述第一发光单元上设置反射电极；将所述转移基板平行设置在电路控制板的上方，所述多个第一发光单元朝向所述电路控制板，且至少一个所述第一发光单元与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准；将激光从所述转移基板垂直射向与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准的各个第一发光单元，所述牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将所述第一发光单元与所述转移基板分离，所述第一发光单元落在所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域上。
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