[发明专利]发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：

提供一间隔设置多个第一发光单元的衬底，每个所述第一发光单元包括依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；

在每个所述第一发光单元上形成第一绑定层；

提供一转移基板，所述转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和第二绑定层；

将所述第二绑定层与所述第一绑定层绑定在一起；

去除所述衬底；

在每个所述第一发光单元上设置反射电极；

将所述转移基板平行设置在电路控制板的上方，所述多个第一发光单元朝向所述电路控制板，且至少一个所述第一发光单元与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准；

将激光从所述转移基板垂直射向与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准的各个第一发光单元，所述牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将所述第一发光单元与所述转移基板分离，所述第一发光单元落在所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域上。

2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述将所述第二绑定层与所述第一绑定层绑定在一起，包括：

通过热压的方式将所述第二绑定层与所述第一绑定层粘结在一起。

3.根据权利要求1或2所述的转移方法，其特征在于，所述转移方法还包括：

将所述转移基板相对所述电路控制板平移，至少一个未与所述转移基板分离的第一发光单元与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元且未设置所述第一发光单元的区域对准；

将激光从所述转移基板垂直射向与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准的各个第一发光单元，所述牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将所述第一发光单元与所述转移基板分离，所述第一发光单元落在所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域上。

4.根据权利要求1或2所述的转移方法，其特征在于，所述转移方法还包括：

将与所述第一发光单元绑定的转移基板从所述电路控制板的上方移开；

提供一间隔设置多个第二发光单元的衬底，每个所述第二发光单元包括依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型发光单元，所述第二发光单元中有源层发出光线的颜色与所述第一发光单元中有源层发出光线的颜色不同；

在每个所述第二发光单元上形成第一绑定层；

将一未与发光单元绑定的转移基板的第二绑定层与所述第一发光单元上的第一绑定层绑定在一起；

去除所述第二发光单元上的衬底；

在每个所述第二发光单元上设置反射电极；

将与所述第二发光单元绑定的转移基板平行设置在所述电路控制板的上方，所述多个第二发光单元朝向所述电路控制板，且至少一个所述第二发光单元与所述电路控制板用于设置所述第二发光单元的区域对准；

将激光从与所述第二发光单元绑定的转移基板垂直射向所述电路控制板用于设置所述第二发光单元的区域对准的各个第二发光单元，与所述第二发光单元绑定的转移基板的牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将所述第二发光单元与所述转移基板分离，所述第二发光单元落在所述电路控制板用于设置所述第二发光单元的区域上。

5.一种发光二极管芯片的转移基板，其特征在于，所述转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和绑定层；所述透明基板用于供激光透过，并起到支撑作用；所述绑定层用于将发光单元绑定在所述透明基板上；所述牺牲层用于吸收从所述透明基板透过的激光的能量分解，将所述发光单元与所述透明基板分离。

6.根据权利要求5所述的转移基板，其特征在于，所述透明基板为蓝宝石衬底或者玻璃基板。

7.根据权利要求5或6所述的转移基板，其特征在于，所述牺牲层的材料采用氮化镓或者氮化铝。

8.根据权利要求5或6所述的转移基板，其特征在于，所述牺牲层的厚度为1nm～50nm。

9.根据权利要求5或6所述的转移基板，其特征在于，所述绑定层的材料采用二氧化硅。

10.一种发光二极管阵列，其特征在于，所述发光二极管阵列包括多个发光单元和转移基板，所述多个发光单元间隔设置在所述转移基板上，每个所述发光单元包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和第一绑定层，所述转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和第二绑定层，所述第二绑定层与所述第一绑定层绑定在一起。