[发明专利]发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列

说明书

本发明公开了一种发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列，属于半导体技术领域。方法包括：提供一间隔设置多个第一发光单元的衬底；在每个第一发光单元上形成第一绑定层；提供一转移基板，转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和第二绑定层；将第二绑定层与第一绑定层绑定在一起；去除衬底；在每个第一发光单元上设置反射电极；将转移基板平行设置在电路控制板的上方；将激光从转移基板垂直射向各个第一发光单元，牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将第一发光单元与转移基板分离，第一发光单元落在电路控制板用于设置第一发光单元的区域上。本发明解决了激光无法将红黄光LED芯片从衬底转移到电路控制板的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化为光能的半导体二极管。芯片是LED的核心组件，广泛应用在户内和户外的显示屏上。随着显示质量和显示需求的提高，显示面积和显示密度不断增大，应用在显示屏上的LED芯片的数量也不断增加。

在实际应用中，通常先在衬底上形成若干相互独立的芯片；然后将芯片朝向电路控制板设置；最后将激光从衬底垂直射向电路控制板上设置芯片的位置，激光作用在衬底和芯片的交界面上，交界面的材料吸收激光能量并分解，芯片与衬底分离，落在控制电路板上设置芯片的位置。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

对于蓝绿光LED芯片来说，衬底一般采用透明的蓝宝石，激光可以透过衬底到达衬底和芯片的交界面上，实现芯片与衬底的分离。但是对于红黄光LED芯片来说，衬底一般采用吸光的砷化镓(GaAs)，砷化镓的能带宽度较窄，可以吸收大部分激光能量，导致激光无法穿透衬底到达衬底和芯片的交界面，因此无法实现红黄光LED芯片从衬底到电路控制板的转移。

发明内容

本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列，能够解决现有技术激光无法将红黄光LED芯片从衬底转移到电路控制板的问题。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的转移方法，所述转移方法包括：

提供一间隔设置多个第一发光单元的衬底，每个所述第一发光单元包括依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；

在每个所述第一发光单元上形成第一绑定层；

提供一转移基板，所述转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和第二绑定层；

将所述第二绑定层与所述第一绑定层绑定在一起；

去除所述衬底；

在每个所述第一发光单元上设置反射电极；

将所述转移基板平行设置在电路控制板的上方，所述多个第一发光单元朝向所述电路控制板，且至少一个所述第一发光单元与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准；

将激光从所述转移基板垂直射向与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准的各个第一发光单元，所述牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将所述第一发光单元与所述转移基板分离，所述第一发光单元落在所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域上。

可选地，所述将所述第二绑定层与所述第一绑定层绑定在一起，包括：

通过热压的方式将所述第二绑定层与所述第一绑定层粘结在一起。

可选地，所述转移方法还包括：