[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811009432.3 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109427937B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 涂均祥;郭得山;陈鹏壬 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包含：一基板，包含一基部及与该基部相接的多个特征部；一第一缓冲结构设于该基部上，且与该些特征部之间具有至少一距离；以及一半导体叠层设于该第一缓冲结构及该些特征部上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：基板，包含基部及与该基部相接的多个特征部；第一缓冲结构，设于该基部上，且与该些特征部之间具有至少一距离；以及半导体叠层，设于该第一缓冲结构及该些特征部上。
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