[发明专利]半导体元件及其制造方法

说明书

本发明公开一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包含：一基板，包含一基部及与该基部相接的多个特征部；一第一缓冲结构设于该基部上，且与该些特征部之间具有至少一距离；以及一半导体叠层设于该第一缓冲结构及该些特征部上。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，特别是涉及基板具有特征部的半导体元件及其制造方法。

背景技术

半导体元件包含由Ⅲ-Ⅴ族元素组成的化合物半导体，例如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)，半导体元件可以为发光二极管(LED)、激光或太阳能电池等光电半导体元件或为功率装置(Power Device)。其中，LED的结构包含一p型半导体层、一n型半导体层与一活性层，活性层设于p型半导体层与n型半导体层之间，使得在一外加电场作用下，n型半导体层及p型半导体层所分别提供的电子及空穴在活性层复合，以将电能转换成光能。提升光电半导体元件的光电转换效率，实为一直以来研发人员研发的重点之一。

发明内容

本发明提供一种半导体元件，包含：一基板，包含一基部及与该基部相接的多个特征部；一第一缓冲结构设于该基部上，且与该些特征部之间具有至少一距离；以及一半导体叠层设于该第一缓冲结构及该些特征部上。

本发明另提供一种半导体元件的制造方法，包含：提供一基板，该基板包含一基部及与该基部相接的多个特征部；在该基板上形成一第一缓冲结构以覆盖该基部，该些特征部的至少一部分未覆盖有该第一缓冲结构；以及形成一半导体叠层设于该第一缓冲结构及该些特征部上。

附图说明

图1是本发明第一实施例的半导体元件的剖面示意图；

图2A是本发明第一实施例的半导体元件的部分剖面放大示意图；

图2B是本发明内容第二实施例的半导体元件的部分剖面放大示意图；

图3是本发明第一实施例的半导体元件的第一缓冲结构与基板的部分俯视示意图；

图4是本发明第三实施例的半导体元件的第一缓冲结构与基板的部分俯视示意图；

图5是本发明第一实施例的半导体元件的制造过程的部分剖面放大示意图；

图6是本发明第一实施例的半导体元件的部分剖面放大示意图；

图7是本发明第四实施例的半导体元件的部分剖面示意图；

图8是本发明第五实施例的半导体元件的第一缓冲结构、第二缓冲结构与基板的部分俯视示意图。

符号说明

100 半导体元件

1 基板

11 基部

12 特征部

121 端点

122 侧面

123 第一轮廓

2 第一缓冲结构

2S 缓冲部

2S’ 中心点

21 第二轮廓

22 侧壁

2a 第二缓冲结构

21a 第二缓冲部

21a’ 第三轮廓

211a 第一部分

212a 第二部分

3 半导体叠层

31 第一半导体层