[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

基板，包含基部及与该基部相接的多个特征部；

第一缓冲结构，设于该基部上，且与该些特征部之间具有至少一距离；以及

半导体叠层，设于该第一缓冲结构及该些特征部上。

2.一种半导体元件，其特征在于，包含：

基板，包含基部及与该基部相接的多个特征部；

第一缓冲结构，设于该基部上，且与该些特征部之间具有至少一距离；

第二缓冲结构，设于该些特征部上；以及

半导体叠层，设于该第一缓冲结构及该些特征部上，该第二缓冲结构位于该半导体叠层与该些特征部之间。

3.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该距离不小于10nm。

4.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该第一缓冲结构包含半导体单晶材料。

5.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该第二缓冲结构包含半导体单晶材料。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该些特征部上未设有该第一缓冲结构。

7.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该半导体叠层与该些特征部的至少一部分直接相接。

8.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，由俯视观之，该第一缓冲结构为连续膜层且设于该些特征部之间。

9.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该第二缓冲结构的厚度小于该第一缓冲结构的厚度。

10.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该基板具有第一表面包含该基部及该些特征部，且该基部与该些特征部分别具有不同的晶格面。

11.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该第一缓冲结构的材料包含单晶材料、多晶材料、非晶材料、透明的高分子材料、氧化物、氮化物或氟化物，该半导体叠层的材料为三五族化合物半导体，该第一缓冲结构的该材料与该半导体叠层的该材料不同。

12.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该第二缓冲结构的材料包含单晶材料、多晶材料、非晶材料、透明的高分子材料、氧化物、氮化物或氟化物，该半导体叠层的材料为三五族化合物半导体，该第二缓冲结构的该材料与该半导体叠层的该材料不同。

13.如权利要求11所述的半导体元件，其中，该第一缓冲结构的材料为AlN，该半导体叠层的材料为GaN。

14.如权利要求12所述的半导体元件，其中，该第二缓冲结构的材料为AlN，该半导体叠层的材料为GaN。

15.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，该第一缓冲结构的厚度为

16.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该些特征部分别包含二侧面，第二缓冲结构包含第一部分及第二部分分别设于该些侧面上，该第一部分包含第一长度及该第二部分包含第二长度，该第一长度与该第二长度相同或不同。

17.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：

提供基板，该基板具有第一表面包含基部及与该基部相接的多个特征部；

通过第一方式在该第一表面上形成缓冲结构；

部分移除该缓冲结构，以形成第一缓冲结构位于该基部上；以及

通过第二方式形成半导体叠层设于该第一缓冲结构及该些特征部上。

18.如权利要求17所述的半导体元件的制造方法，其中，该第一方式为物理气相沉积法。

19.如权利要求17所述的半导体元件的制造方法，其中，该第二方式为有机金属化学气相沉积法。