[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201811005927.9 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110289264B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 立川卓;宫川英典 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/40;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器装置，其包括：衬底；栅极电极，其在与衬底的表面交叉的第一方向上布置；第一半导体层，其包含在第一方向上延伸且面向多个栅极电极的第一部分及比第一部分更靠近衬底的第二部分；栅极绝缘薄膜，其设置在栅极电极与第一半导体层的第一部分之间且包含存储器部分；及布线部分，其设置在衬底与多个栅极电极之间，连接到第一半导体层的第二部分且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。布线部分包括连接到第一半导体层的第二部分的第二半导体层。第二半导体层包含大于第二半导体层的第一方向上的厚度的第一晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，其包括：衬底；多个栅极电极，其在与所述衬底的表面交叉的第一方向上布置；第一半导体层，其包含在所述第一方向上延伸且面向所述多个栅极电极的第一部分及比所述第一部分更靠近所述衬底的第二部分；栅极绝缘薄膜，其设置在所述栅极电极与所述第一半导体层的所述第一部分之间且包含存储器部分；及布线部分，其设置在所述衬底与所述多个栅极电极之间，连接到所述第一半导体层的所述第二部分且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述布线部分包括连接到所述第一半导体层的所述第二部分的第二半导体层，所述第二半导体层包含大于所述第二半导体层的所述第一方向上的厚度的第一晶粒。
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