[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其包括：

衬底；

多个栅极电极，其在与所述衬底的表面交叉的第一方向上布置；

第一半导体层，其包含在所述第一方向上延伸且面向所述多个栅极电极的第一部分及比所述第一部分更靠近所述衬底的第二部分；

栅极绝缘薄膜，其设置在所述多个栅极电极与所述第一半导体层的所述第一部分之间且包含存储器部分；及

布线部分，其设置在所述衬底与所述多个栅极电极之间，连接到所述第一半导体层的所述第二部分且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，

所述布线部分包括：

连接到所述第一半导体层的所述第二部分的第二半导体层，

设置在所述衬底与所述第二半导体层之间的金属层，

第三半导体层，其设置在所述第二半导体层与所述金属层之间，及

第四半导体层，其设置在所述第二半导体层与所述多个栅极电极之间，其中所述第二半导体层包含大于所述第一方向上的所述第二半导体层的厚度的第一晶粒。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第二半导体层包含镍、钴、铝及钯中的至少一者的金属原子。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述第二半导体层比所述第一方向上的所述第一半导体层的一个端部更远离于所述衬底，且

所述第一晶粒连接到所述第二方向上的所述第一半导体层的侧表面。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第三半导体层中的晶粒的平均大小及所述第四半导体层中的晶粒的平均大小小于所述第二半导体层中的晶粒的平均大小。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第三半导体层及所述第四半导体层中的最大晶粒小于所述第一晶粒。

6.一种半导体存储器装置，其包括：

衬底；

多个栅极电极，其在与所述衬底的表面交叉的第一方向上布置；

第一半导体层，其包含在所述第一方向上延伸且面向所述多个栅极电极的第一部分及比所述第一部分更靠近所述衬底的第二部分；

栅极绝缘薄膜，其设置在所述多个栅极电极与所述第一半导体层的所述第一部分之间且包含存储器部分；

布线部分，其设置在所述衬底与所述多个栅极电极之间，连接到所述第一半导体层的所述第二部分且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，及

第一绝缘层及第二绝缘层，其在所述第一方向上延伸，连接到所述布线部分且包含面向所述多个栅极电极的部分，其中

所述布线部分包括连接到所述第一半导体层的所述第二部分且连接到所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的第二半导体层，

所述第二半导体层包含多个第一晶粒，所述第一晶粒大于所述第一方向上的所述第二半导体层的厚度，所述多个所述第一晶粒中的一者是对应于所述第一绝缘层的第二晶粒，且所述多个所述第一晶粒中的另一者是对应于所述第二绝缘层的第三晶粒，且

所述第二晶粒与所述第三晶粒之间的晶界在所述第二方向上设置在所述第一绝缘层及所述第二绝缘层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中所述第二半导体层包含镍、钴、铝及钯中的至少一者的金属原子。

8.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中

所述第二半导体层比所述第一方向上的所述第一半导体层的一个端部更远离于所述衬底，且

所述第一晶粒连接到所述第二方向上的所述第一半导体层的侧表面。

9.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中所述布线部分进一步包含设置在所述衬底与所述第二半导体层之间的金属层。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中所述金属层设置在所述第二半导体层的面向所述衬底一侧的表面上。