[发明专利]半导体存储器装置

说明书

本发明涉及一种半导体存储器装置，其包括：衬底；栅极电极，其在与衬底的表面交叉的第一方向上布置；第一半导体层，其包含在第一方向上延伸且面向多个栅极电极的第一部分及比第一部分更靠近衬底的第二部分；栅极绝缘薄膜，其设置在栅极电极与第一半导体层的第一部分之间且包含存储器部分；及布线部分，其设置在衬底与多个栅极电极之间，连接到第一半导体层的第二部分且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。布线部分包括连接到第一半导体层的第二部分的第二半导体层。第二半导体层包含大于第二半导体层的第一方向上的厚度的第一晶粒。

相关申请案的交叉参考

本申请案是基于且主张2018年3月19日申请的第2018-050724号日本专利申请案，所述专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文中描述的实施例涉及一种半导体存储器装置。

背景技术

在近年，已提出其中三维地布置存储器胞元的半导体存储器装置(三维型半导体存储器装置)。例如，这种半导体存储器装置包含：衬底；多个栅极电极，其在与所述衬底的表面交叉的第一方向上布置；半导体层，其包含在所述第一方向上延伸且面向所述多个栅极电极的第一部分及比所述第一部分更靠近所述衬底的第二部分；栅极绝缘薄膜，其设置在所述栅极电极与所述半导体层的所述第一部分之间且包含存储器部分；及布线部分，其连接到所述半导体层的所述第二部分。

发明内容

随后描述的实施例提供一种包含具有低电阻值的布线部分的半导体存储器装置。

根据一个实施例的半导体存储器装置包含：衬底；多个栅极电极，其在与所述衬底的表面交叉的第一方向上布置；半导体层，其包含在所述第一方向上延伸且面向所述多个栅极电极的第一部分及比所述第一部分更靠近所述衬底的第二部分；栅极绝缘薄膜，其设置在所述栅极电极与所述半导体层的所述第一部分之间且包含存储器部分；及布线部分，其连接到所述半导体层的所述第二部分。所述布线部分包含连接到所述第一半导体层的所述第二部分的第二半导体层。所述第二半导体层包含大于所述第二半导体层的所述第一方向上的厚度的第一晶粒。

附图说明

图1是根据第一实施例的半导体存储器装置的示意平面图。

图2是展示半导体存储器装置的配置的部分的示意电路图。

图3是展示半导体存储器装置的配置的部分的示意透视图。

图4是图3的部分的放大图。

图5是展示半导体存储器装置的配置的部分的示意横截面图。

图6是图5的部分的放大图。

图7是展示半导体存储器装置的制造方法的示意横截面图。

图8是展示制造方法的示意横截面图。

图9是展示制造方法的示意横截面图。

图10是展示制造方法的示意横截面图。

图11是展示制造方法的示意横截面图。

图12是展示制造方法的示意横截面图。

图13是展示制造方法的示意横截面图。

图14是展示制造方法的示意横截面图。

图15是展示制造方法的示意横截面图。

图16是展示制造方法的示意横截面图。

图17是展示制造方法的示意横截面图。

图18是展示制造方法的示意横截面图。

图19是展示制造方法的示意横截面图。