[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

在衬底上方形成多孔介电层，在多孔介电层上方形成抗反射层；在抗反射层上方形成第一硬掩模。使用抗反射层和第一硬掩模作为掩模材料，在多孔介电层内形成通孔开口和沟槽开口。在形成沟槽开口和通孔开口之后，去除第一硬掩模。在开口内形成互连件，并且互连件具有介于约70°和约80°之间的轮廓角以及介于约65％和约70％之间的深度比。本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在导电部件上方的第一蚀刻停止层上方形成介电层；在所述介电层上方形成抗反射层；在所述抗反射层上方形成第一硬掩模；图案化所述第一硬掩模以使第一开口大于穿过所述抗反射层的第二开口；形成穿过所述介电层的第一通孔开口和第一沟槽开口，其中，通过单次蚀刻工艺蚀刻穿过所述第一开口和所述第二开口来实施形成所述第一通孔开口和所述第一沟槽开口；去除所述第一硬掩模；以及通过所述第一通孔开口去除所述第一蚀刻停止层的部分，其中，在已经停止去除所述第一蚀刻停止层的部分之后，所述第一通孔开口具有介于70°和80°之间的第一轮廓角。