[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

在衬底上方形成多孔介电层，在多孔介电层上方形成抗反射层；在抗反射层上方形成第一硬掩模。使用抗反射层和第一硬掩模作为掩模材料，在多孔介电层内形成通孔开口和沟槽开口。在形成沟槽开口和通孔开口之后，去除第一硬掩模。在开口内形成互连件，并且互连件具有介于约70°和约80°之间的轮廓角以及介于约65％和约70％之间的深度比。本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用，诸如例如个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备。通常通过在半导体衬底上方顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并且使用光刻图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸不断改善各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件集成到给定区域中。但是，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的其它问题。

发明内容

本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在导电部件上方的第一蚀刻停止层上方形成介电层；在所述介电层上方形成抗反射层；在所述抗反射层上方形成第一硬掩模；图案化所述第一硬掩模以使第一开口大于穿过所述抗反射层的第二开口；形成穿过所述介电层的第一通孔开口和第一沟槽开口，其中，通过单次蚀刻工艺蚀刻穿过所述第一开口和所述第二开口来实施形成所述第一通孔开口和所述第一沟槽开口；去除所述第一硬掩模；以及通过所述第一通孔开口去除所述第一蚀刻停止层的部分，其中，在已经停止去除所述第一蚀刻停止层的部分之后，所述第一通孔开口具有介于70°和80°之间的第一轮廓角。

本发明的另一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方的第一蚀刻停止层上方形成介电层，形成所述介电层包括：将第一前体引入沉积室；和将一氧化碳引入所述沉积室；在所述介电层上方形成抗反射层；在所述抗反射层上方形成第一硬掩模层；用第一光刻胶在所述第一硬掩模层中图案化第一开口；用不同于所述第一光刻胶的第二光刻胶在所述第一硬掩模层中图案化第二开口；使用单次蚀刻工艺形成穿过所述第一开口的第一通孔开口和穿过所述第二开口的第二通孔开口；去除所述第一硬掩模层；通过所述第一通孔开口去除所述第一蚀刻停止层的第一部分，并且通过所述第二通孔开口去除所述第一蚀刻停止层的第二部分；以及用导电材料填充所述第一通孔开口和所述第二通孔开口，以形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔具有第一轮廓角，并且所述第二通孔具有所述第一轮廓角。

本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：介电层，位于衬底上方；第一沟槽，至少部分地延伸穿过所述介电层；以及第一通孔，至少部分地从所述第一沟槽延伸穿过所述介电层，所述第一通孔具有介于70°和80°之间的第一轮廓角、介于65％和70％之间的第一深度比以及介于1.5和2之间的第一宽度比。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A至图1B示出了根据一些实施例的位于介电层上方的抗反射层和第一硬掩模。

图2示出了根据一些实施例的沟槽和通孔的形成。

图3示出了根据一些实施例的第一硬掩模的去除。

图4示出了根据一些实施例的第二蚀刻停止层的部分的去除。

图5示出了根据一些实施例的第一蚀刻停止层的部分的去除。

图6示出了根据一些实施例的具有导电材料的填充物。

图7A至图7B示出了根据一些实施例的互连件的形成。

图8示出了根据一些实施例的穿过第一硬掩模层的第二开口的形成。