[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在导电部件上方的第一蚀刻停止层上方形成介电层；

在所述介电层上方形成抗反射层；

在所述抗反射层上方形成第一硬掩模；

图案化所述第一硬掩模以使位于所述第一硬掩模中的第一开口大于穿过所述抗反射层的第二开口；

形成穿过所述介电层的第一通孔开口和第一沟槽开口，其中，通过单次蚀刻工艺蚀刻穿过所述第一开口和所述第二开口来实施形成所述第一通孔开口和所述第一沟槽开口，在所述单次蚀刻工艺开始实施时所述第二开口终止于所述介电层的顶面，其中，在形成所述第一沟槽开口期间，所述介电层是非多孔材料，所述介电层是作为硅前体的单体、作为C_xH_y前体的饱和或不饱和烃和作为CO前体的一氧化碳形成的聚合物；

去除所述第一硬掩模；以及

通过所述第一通孔开口去除所述第一蚀刻停止层的部分，其中，在已经停止去除所述第一蚀刻停止层的部分之后，所述第一通孔开口具有介于70°和80°之间的第一轮廓角。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括利用所述单次蚀刻工艺形成穿过所述介电层的第二通孔开口和第二沟槽开口。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二沟槽开口与所述第一沟槽开口间隔开13nm的距离。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二通孔开口具有介于70°和80°之间的第二轮廓角。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第一蚀刻停止层的部分也使所述抗反射层的拐角圆化。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一通孔开口的深度比在65％和70％之间。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括用导电材料填充所述第一通孔开口和所述第一沟槽开口。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方的第一蚀刻停止层上方形成介电层，形成所述介电层包括：

将第一前体引入沉积室；和

将一氧化碳引入所述沉积室；

在所述介电层上方形成抗反射层，其中，在形成所述抗反射层期间，所述介电层是非多孔材料，所述介电层是作为硅前体的单体、作为C_xH_y前体的饱和或不饱和烃和作为CO前体的一氧化碳形成的聚合物；

在所述抗反射层上方形成第一硬掩模层；

用第一光刻胶在所述第一硬掩模层中图案化第一开口；

用不同于所述第一光刻胶的第二光刻胶在所述第一硬掩模层中图案化第二开口；

使用单次蚀刻工艺形成穿过所述第一开口的第一通孔开口和穿过所述第二开口的第二通孔开口；

去除所述第一硬掩模层；

通过所述第一通孔开口去除所述第一蚀刻停止层的第一部分，并且通过所述第二通孔开口去除所述第一蚀刻停止层的第二部分；以及

用导电材料填充所述第一通孔开口和所述第二通孔开口，以形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔具有第一轮廓角，并且所述第二通孔具有所述第一轮廓角，所述第一轮廓角在70°和80°之间，并且所述第一通孔开口和所述第二通孔开口中的导电材料在所述填充期间不形成空隙。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述介电层形成K值大于2.7的材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述介电层形成硬度小于2.1GPa的材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述介电层形成应力小于60MPa的材料。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述介电层形成通过极紫外线具有小于10％的碳损失的材料。