[发明专利]集成扇出封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201810996129.0 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109786340B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 裴浩然;陈威宇;郑佳申;曹智强;陈正庭;张家纶;林志伟;林修任;谢静华;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。一种半导体结构包括嵌入在模制材料中的管芯，管芯具有位于第一侧上的管芯连接件；位于管芯的第一侧处的第一再分布结构，第一再分布结构通过管芯连接件电连接至管芯；位于管芯的与第一侧相对的第二侧处的第二再分布结构；以及位于第二再分布结构中的导热材料，管芯介于导热材料和第一再分布结构之间，导热材料延伸穿过第二再分布结构，并且导热材料是电隔离的。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：管芯，嵌入在模制材料中，所述管芯具有位于第一侧上的管芯连接件；第一再分布结构，位于所述管芯的第一侧处，所述第一再分布结构通过所述管芯连接件电连接至所述管芯；第二再分布结构，位于所述管芯的与所述第一侧相对的第二侧处；以及导热材料，位于所述第二再分布结构中，所述管芯插接在所述导热材料和所述第一再分布结构之间，所述导热材料延伸穿过所述第二再分布结构，并且所述导热材料是电隔离的。
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