[发明专利]集成扇出封装件及其形成方法

说明书

本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。一种半导体结构包括嵌入在模制材料中的管芯，管芯具有位于第一侧上的管芯连接件；位于管芯的第一侧处的第一再分布结构，第一再分布结构通过管芯连接件电连接至管芯；位于管芯的与第一侧相对的第二侧处的第二再分布结构；以及位于第二再分布结构中的导热材料，管芯介于导热材料和第一再分布结构之间，导热材料延伸穿过第二再分布结构，并且导热材料是电隔离的。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及集成扇出封装件及其形成方法。

背景技术

由于许多电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度的不断提高，半导体产业经历了快速增长。在大多数情况下，集成度的这种改进来自最小特征尺寸的不断减小，这允许将更多的组件集成到给定区域内。随着近来对较小的电子器件的需求不断增长，对半导体管芯的更小且更有创意的封装技术的需求不断增长。

这些封装技术的一个实例是叠层封装(POP)技术。在PoP封装件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上以允许高水平的集成和组件密度。另一实例是多芯片模块(MCM)技术，其中，多个半导体管芯封装在一个半导体封装件中以提供具有集成功能的半导体器件。

先进的封装技术的高水平集成能够生产具有增强的功能和小的占有面积的半导体器件，这对于诸如移动电话、平板电脑和数字音乐播放器的小型设备是有优势的。另一优势是连接半导体封装件内的各互操作部分的导电路径的缩短的长度。这提高了半导体器件的电气性能，因为电路之间较短的互连布线产生了较快的信号传播并且减少了噪声和串扰。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：管芯，嵌入在模制材料中，所述管芯具有位于第一侧上的管芯连接件；第一再分布结构，位于所述管芯的第一侧处，所述第一再分布结构通过所述管芯连接件电连接至所述管芯；第二再分布结构，位于所述管芯的与所述第一侧相对的第二侧处；以及导热材料，位于所述第二再分布结构中，所述管芯插接在所述导热材料和所述第一再分布结构之间，所述导热材料延伸穿过所述第二再分布结构，并且所述导热材料是电隔离的。

根据本发明的另一个方面，提供了一种半导体结构，包括：第一再分布结构；第二再分布结构；管芯，插接在所述第一再分布结构和所述第二再分布结构之间，其中，所述管芯的前侧面向所述第一再分布结构；模制材料，位于所述管芯周围且介于所述第一再分布结构和所述第二再分布结构之间；散热结构，至少部分地嵌入在所述第二再分布结构中，其中，所述散热结构是电隔离的并且从所述第二再分布结构的第一侧延伸至所述第二再分布结构的相对的第二侧，并且，所述管芯位于所述散热结构和所述第一再分布结构之间；以及半导体封装件，电连接至所述第二再分布结构。

根据本发明的又一个方面，提供了一种形成半导体结构的方法，包括：将管芯附接至第一再分布结构的第一侧；在所述第一再分布结构的第一侧上形成导电柱；在所述管芯和所述导电柱之间形成模制材料；在所述管芯、所述导电柱和所述模制材料上方形成第二再分布结构；在所述第一再分布结构中形成第一开口，所述第一开口位于所述管芯的横向范围内，所述第一开口延伸穿过所述第一再分布结构；以及在所述第一开口中形成金属膏，其中，所述金属膏是电隔离的。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1至图8示出根据实施例的在各个制造阶段处的半导体封装件的截面图。

图9至图11、图12A、图12B、图13至图15、图16A、图16B、图17至图23示出根据各个实施例的各种半导体封装件的截面图。

图24示出根据一些实施例的用于形成半导体封装件的方法的流程图。

具体实施方式